Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

HMC1022-TR

частка акцыі: 81

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2V ~ 25V,

SS496A1-T3

частка акцыі: 37139

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±84mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS495B-T3

частка акцыі: 64444

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS494B-T2

частка акцыі: 43154

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±42mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS495A1-SP

частка акцыі: 33563

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS495A-T2

частка акцыі: 46558

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS495B-T2

частка акцыі: 63000

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS496A1-T2

частка акцыі: 37173

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±84mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS495A2-SP

частка акцыі: 50136

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS496A-SP

частка акцыі: 36368

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±84mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS495A1-T3

частка акцыі: 36175

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS494B-SP

частка акцыі: 41068

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±42mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS496A-S

частка акцыі: 36867

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±84mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS496B-S

частка акцыі: 59443

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±84mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS495A2-S

частка акцыі: 50119

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS496B-F

частка акцыі: 63574

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±84mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

RR111-1DC2-332

частка акцыі: 117

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±1mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 2.7mA,

DRV5055A4QDBZT

частка акцыі: 94

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±169mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

DRV5055A1QLPGM

частка акцыі: 112

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±21mT, ±22mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

DRV5053EAQDBZR

частка акцыі: 151362

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5053EAQDBZTQ1

частка акцыі: 157940

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5053CAELPGMQ1

частка акцыі: 139156

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5053OAELPGMQ1

частка акцыі: 139196

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±73mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5053CAELPGQ1

частка акцыі: 152182

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5053EAQLPGQ1

частка акцыі: 152183

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

SI7210-B-03-IVR

частка акцыі: 67576

SI7210-B-01-IVR

частка акцыі: 62936

SI7215-B-00-IVR

частка акцыі: 62983

SI7210-B-02-IVR

частка акцыі: 67572

SI7213-B-00-IVR

частка акцыі: 62959

SI7210-B-00-IVR

частка акцыі: 62970

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±20mT, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8.5mA,

SI7216-B-00-IVR

частка акцыі: 62980

SI7217-B-01-IVR

частка акцыі: 62948

SI7214-B-00-IVR

частка акцыі: 62981

SI7211-B-00-IVR

частка акцыі: 62984

SI7210-B-01-IV

частка акцыі: 57246