Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±2.8mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±0.5mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, Напружанне - харчаванне: 4.8V ~ 12V, Ток - запас (макс.): 18.5mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±0.5mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±1mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±1mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±2.8mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, Напружанне - харчаванне: 4.8V ~ 12V, Ток - запас (макс.): 18.5mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 6V, Ток - запас (макс.): 10mA,