Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

HW101A

частка акцыі: 192793

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Ток - запас (макс.): 20mA,

EQ732L

частка акцыі: 91

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 12mA,

HQ8220

частка акцыі: 51214

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 6V, Ток - запас (макс.): 9mA,

HG176A

частка акцыі: 152650

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 8V,

HG302A

частка акцыі: 82480

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 8V,

HW105A

частка акцыі: 136780

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Ток - запас (макс.): 20mA,

EQ730L

частка акцыі: 159

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 12mA,

EQ431L

частка акцыі: 184

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 12mA,

HG106A

частка акцыі: 163464

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 8V,

MLX90363LDC-ABB-000-SP

частка акцыі: 13829

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15.5mA,

MLX90251EVA-FAA-300-BU

частка акцыі: 32815

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 9mA,

MLX90251LVA-FAA-100-BU

частка акцыі: 31145

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 9mA,

MLX90251EVA-FAA-200-BU

частка акцыі: 32794

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 9mA,

MLX90251LVA-FAA-000-BU

частка акцыі: 31229

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 9mA,

MLX90251EVA-FAA-100-BU

частка акцыі: 32864

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 9mA,

MLX90290LSE-AAA-511-RE

частка акцыі: 71818

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90290LUA-AAA-540-BU

частка акцыі: 71763

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90242LUA-GAA-000-BU

частка акцыі: 30811

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 4.5mA,

MLX90290LUA-AAA-622-BU

частка акцыі: 71815

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90288LDC-CAB-000-RE

частка акцыі: 43255

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: 6mT ~ 650mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

MLX90290LUA-AAA-500-BU

частка акцыі: 74043

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90290LUA-AAA-510-BU

частка акцыі: 79492

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

DRV5053VAQLPGQ1

частка акцыі: 152177

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±9mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5053OAEDBZTQ1

частка акцыі: 157928

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±73mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5053VAELPGMQ1

частка акцыі: 139171

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±9mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5053VAELPGQ1

частка акцыі: 152207

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±9mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

DRV5055A4QDBZR

частка акцыі: 105

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±169mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

DRV5055A3QDBZR

частка акцыі: 209

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±85mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

TLV493DB1B6HTSA1

частка акцыі: 138682

TLE493DA1B6HTSA1

частка акцыі: 76370

TLE4922XINFHALA1

частка акцыі: 51979

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±400mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Ток - запас (макс.): 7mA,

TLE493DW2B6A3HTSA1

частка акцыі: 175

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±160mT ~ ±230mT, Напружанне - харчаванне: 2.8V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 0.13µA,

TLE493DW2B6A0HTSA1

частка акцыі: 105

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±160mT ~ ±230mT, Напружанне - харчаванне: 2.8V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 0.13µA,

TLE4922XANFHALA1

частка акцыі: 60684

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±400mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Ток - запас (макс.): 7mA,

TLE493DW2B6A2HTSA1

частка акцыі: 125

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±160mT ~ ±230mT, Напружанне - харчаванне: 2.8V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 0.13µA,

IIS2MDCTR

частка акцыі: 106

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.6V,