Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

MLX90291LDC-BCA-000-TU

частка акцыі: 7653

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±15mT ~ ±400mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15mA,

MLX90288LDC-CAA-000-SP

частка акцыі: 7740

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: 6mT ~ 650mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

MLX90242ESE-GAA-000-SP

частка акцыі: 50010

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 4.5mA,

MLX90292LGO-CAE-000-TU

частка акцыі: 6831

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±30mT ~ ±170mT, Напружанне - харчаванне: 4.6V ~ 8.7V, Ток - запас (макс.): 6.5mA,

MLX90288KDC-CAA-000-SP

частка акцыі: 6454

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: 6mT ~ 650mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

MLX90295EVC-FAA-100-BU

частка акцыі: 6045

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: 156mT ~ 333mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 9mA,

TLE4983CHTE6747HAMA2

частка акцыі: 23848

TLE4955E4HALA1

частка акцыі: 34086

TLE4983CSF47NHAMA1

частка акцыі: 30265

TLE5027CXAAD47AIHAMA1

частка акцыі: 6943

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: PWM,

TLE4955CE4807BAMA1

частка акцыі: 32303

TLE4990HAXA1

частка акцыі: 8687

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 5.5mA,

TLE4983CWSF47QHAMA1

частка акцыі: 30205

SS49E-L

частка акцыі: 20925

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 6.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

SS94A1B

частка акцыі: 7430

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 8V, Ток - запас (макс.): 17.5mA,

SS81CA

частка акцыі: 6818

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 24V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS491B

частка акцыі: 26808

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±6mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

SS94B1A

частка акцыі: 7469

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 12V, Ток - запас (макс.): 11mA,

HAL1820UA-A

частка акцыі: 69036

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±20mT ~ ±160mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

HAL3675DJ-A

частка акцыі: 47597

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: PWM, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15mA,

HAL856 UT-A

частка акцыі: 40794

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±1mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 17.5mA,

HAL2455DJ-A

частка акцыі: 51542

HAL855 UT-K

частка акцыі: 42682

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±1mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

HAL2425DJ-A

частка акцыі: 52473

HAL856 UT-K

частка акцыі: 40789

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±1mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 17.5mA,

MAG3110FCR1

частка акцыі: 90856

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±1mT, Напружанне - харчаванне: 1.9V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 900µA (Typ),

KMZ10B,112

частка акцыі: 7058

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 12V,

PDRV5053EAQDBZT

частка акцыі: 7361

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

PDRV5053CAQLPG

частка акцыі: 7126

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

PDRV5053EAQLPG

частка акцыі: 6781

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

HW300A

частка акцыі: 7105

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 2V, Ток - запас (макс.): 20mA,

ZMX40MT8TA

частка акцыі: 6976

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

ZMZ20M

частка акцыі: 6166

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

HMC6042-TR

частка акцыі: 8736

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2.4V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 25mA,

HMC1043L-TR-RC

частка акцыі: 6553

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 10V,

MMC2460MT

частка акцыі: 45078

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.62V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60µA,