Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

A1321ELHLT-T

частка акцыі: 3550

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

A1389LLHLT-RP9-T

частка акцыі: 64656

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 11.5mA,

A1322EUA-T

частка акцыі: 3431

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

A1395SEHLX-T

частка акцыі: 103173

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 3.2mA,

A1393SEHLX-T

частка акцыі: 103206

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 3.2mA,

A1386LUA-T

частка акцыі: 1479

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

A1381ELHLX-T

частка акцыі: 8431

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

A1384ELHLT-T

частка акцыі: 3396

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

A1319LLHLX-5-T

частка акцыі: 76682

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, Ток - запас (макс.): 10mA,

A1383ELHLT-T

частка акцыі: 8374

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

A1391SEHLX-T

частка акцыі: 103168

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 3.2mA,

A1373LKB-T

частка акцыі: 3318

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

A1322EUA

частка акцыі: 3337

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

A1308LLHLT-1-T

частка акцыі: 99431

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 11.5mA,

A1308LLHLT-5-T

частка акцыі: 131

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 11.5mA,

A1366LKTTN-5-T

частка акцыі: 39936

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15mA,

ALS31000LLHALT

частка акцыі: 81165

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single,

A1304ELHLX-05-T

частка акцыі: 147662

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±300mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 9mA,

ALS31300EEJASR-JOY

частка акцыі: 83

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Напружанне - харчаванне: 2.65V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 6.7mA,

ALS31000LLHALX

частка акцыі: 93694

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single,

A1308LLHLX-05-T

частка акцыі: 115333

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 11.5mA,

A1308LLHLX-5-T

частка акцыі: 115325

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 11.5mA,

A1363LKTTN-2-T

частка акцыі: 42216

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15mA,

A1359LLETR-T

частка акцыі: 38646

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog, PWM, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 13.5mA,

A1367LKTTN-2U-T

частка акцыі: 39280

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16.5mA,

A1366LKTTN-10-T

частка акцыі: 39882

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15mA,

A1342LUCTN-T

частка акцыі: 41029

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

A1454KLETR-4F-T

частка акцыі: 72697

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: I²C, Напружанне - харчаванне: 2.65V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 5mA,

A1367LKTTN-1B-T

частка акцыі: 39316

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16.5mA,

AK8976A

частка акцыі: 3541

AK8963N

частка акцыі: 11080

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Дыяпазон зандзіравання: ±4.9mT, Напружанне - харчаванне: 2.4V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,

AA004-02

частка акцыі: 3183

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 0.5mT ~ 3.5mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 24V,

AB001-02E

частка акцыі: 22428

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 2mT ~ 20mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 12.5V,

AAL024-10E

частка акцыі: 121

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 12V,

AAL004-10E

частка акцыі: 76

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 12V,

AAK001-14E

частка акцыі: 141

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge,