Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 2mT ~ 20mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 12.5V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 1mT ~ 7mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 24V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 0.5mT ~ 3.5mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 24V,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Напружанне - харчаванне: 2.65V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 6.7mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 11.5mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: SPI, Напружанне - харчаванне: 26.5V,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 6V, Ток - запас (макс.): 11mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 12mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Ток - запас (макс.): 19mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 3.2mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±4.9mT, Напружанне - харчаванне: 2.4V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Дыяпазон зандзіравання: ±4.9mT, Напружанне - харчаванне: 2.4V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,