Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Дыяпазон зандзіравання: ±4.9mT, Напружанне - харчаванне: 1.7V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±300mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 11.5mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Напружанне - харчаванне: 2.65V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 6.7mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 12mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15mA,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 0.15mT ~ 0.75mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 12V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 0.2mT ~ 1.4mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 24V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 0.06mT ~ 0.3mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 12V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 0.15mT ~ 1.05mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 24V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 0.5mT ~ 3.5mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 24V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: 0.15mT ~ 1.05mT, Напружанне - харчаванне: 1V ~ 25V,