Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

DRV5053VAQDBZRQ1

DRV5053VAQDBZRQ1

частка акцыі: 178086

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±9mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053OAQLPGM

DRV5053OAQLPGM

частка акцыі: 164129

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±73mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053VAQLPGMQ1

DRV5053VAQLPGMQ1

частка акцыі: 139140

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±9mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053RAQDBZR

DRV5053RAQDBZR

частка акцыі: 121817

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV425RTJR

DRV425RTJR

частка акцыі: 26051

Тэхналогія: Fluxgate, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±2.0mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV5053CAEDBZRQ1

DRV5053CAEDBZRQ1

частка акцыі: 178139

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053VAEDBZRQ1

DRV5053VAEDBZRQ1

частка акцыі: 178092

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±9mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5055A3QLPGM

DRV5055A3QLPGM

частка акцыі: 9951

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±85mT, ±88mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV5053RAEDBZRQ1

DRV5053RAEDBZRQ1

частка акцыі: 178105

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053PAQLPGMQ1

DRV5053PAQLPGMQ1

частка акцыі: 139162

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053EAQLPGMQ1

DRV5053EAQLPGMQ1

частка акцыі: 139181

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053RAQLPGM

DRV5053RAQLPGM

частка акцыі: 164046

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053OAEDBZRQ1

DRV5053OAEDBZRQ1

частка акцыі: 178061

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±73mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053CAQDBZRQ1

DRV5053CAQDBZRQ1

частка акцыі: 178155

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053PAQLPGM

DRV5053PAQLPGM

частка акцыі: 164122

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053CAQLPGM

DRV5053CAQLPGM

частка акцыі: 24827

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053VAQDBZT

DRV5053VAQDBZT

частка акцыі: 114150

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±9mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
HAL1820SF-A

HAL1820SF-A

частка акцыі: 69050

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±20mT ~ ±160mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
HAC830CV-M-A-2-A-2

HAC830CV-M-A-2-A-2

частка акцыі: 18045

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±30mT ~ ±150mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
SS495A

SS495A

частка акцыі: 22905

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

Пажаданні
SS495B

SS495B

частка акцыі: 25168

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

Пажаданні
SS59ET

SS59ET

частка акцыі: 58178

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 6.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
SS496A

SS496A

частка акцыі: 19875

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±84mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

Пажаданні
SS495A-SP

SS495A-SP

частка акцыі: 30488

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

Пажаданні
SS495A-S

SS495A-S

частка акцыі: 18987

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

Пажаданні
SS495A1

SS495A1

частка акцыі: 15759

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±67mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

Пажаданні
SS496B

SS496B

частка акцыі: 25086

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±84mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 10.5V, Ток - запас (макс.): 8.7mA,

Пажаданні
MMC33160MT

MMC33160MT

частка акцыі: 43218

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±1.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.62V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 160µA,

Пажаданні
TLE493DW2B6A1HTSA1

TLE493DW2B6A1HTSA1

частка акцыі: 9929

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±160mT ~ ±230mT, Напружанне - харчаванне: 2.8V ~ 3.5V, Ток - запас (макс.): 0.13µA,

Пажаданні
MLX90251LVA-FAA-200-BU

MLX90251LVA-FAA-200-BU

частка акцыі: 15588

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 9mA,

Пажаданні
MLX90333KDC-BCT-000-TU

MLX90333KDC-BCT-000-TU

частка акцыі: 10886

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Analog, PWM, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

Пажаданні
MLX90393ELW-ABA-011-RE

MLX90393ELW-ABA-011-RE

частка акцыі: 57560

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 4mA,

Пажаданні
MLX90393SLW-ABA-011-RE

MLX90393SLW-ABA-011-RE

частка акцыі: 79278

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V,

Пажаданні
MLX90363KGO-ABB-000-RE

MLX90363KGO-ABB-000-RE

частка акцыі: 11744

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15.5mA,

Пажаданні
LIS2MDLTR

LIS2MDLTR

частка акцыі: 97529

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.6V,

Пажаданні
HMC1021Z-RC

HMC1021Z-RC

частка акцыі: 8708

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2V ~ 25V,

Пажаданні