Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

DRV5055A1QDBZT

DRV5055A1QDBZT

частка акцыі: 4045

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±21mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV5053VAEDBZTQ1

DRV5053VAEDBZTQ1

частка акцыі: 157999

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±9mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053PAQDBZT

DRV5053PAQDBZT

частка акцыі: 182566

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5055A2QLPG

DRV5055A2QLPG

частка акцыі: 4725

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±42mT, ±44mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV5053RAQDBZT

DRV5053RAQDBZT

частка акцыі: 91260

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5055A4QLPG

DRV5055A4QLPG

частка акцыі: 5043

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±169mT, ±176mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV5053OAQDBZT

DRV5053OAQDBZT

частка акцыі: 91279

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±73mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5056A2QLPGM

DRV5056A2QLPGM

частка акцыі: 9926

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±39mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV5053CAQLPG

DRV5053CAQLPG

частка акцыі: 11155

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5056A3QLPGM

DRV5056A3QLPGM

частка акцыі: 9986

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±79mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV425RTJT

DRV425RTJT

частка акцыі: 18335

Тэхналогія: Fluxgate, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±2mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 5.5V,

Пажаданні
DRV5055A2QDBZR

DRV5055A2QDBZR

частка акцыі: 9983

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±42mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV5053PAQDBZRQ1

DRV5053PAQDBZRQ1

частка акцыі: 178101

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053OAQDBZRQ1

DRV5053OAQDBZRQ1

частка акцыі: 178070

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±73mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053PAQDBZR

DRV5053PAQDBZR

частка акцыі: 114378

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5056A4QLPGM

DRV5056A4QLPGM

частка акцыі: 9902

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±158mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
DRV5053CAQLPGMQ1

DRV5053CAQLPGMQ1

частка акцыі: 11251

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±35mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
DRV5053RAELPGMQ1

DRV5053RAELPGMQ1

частка акцыі: 139178

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

Пажаданні
SI7210-B-00-IV

SI7210-B-00-IV

частка акцыі: 57231

Пажаданні
SI7210-B-04-IVR

SI7210-B-04-IVR

частка акцыі: 67567

Пажаданні
SI7212-B-00-IVR

SI7212-B-00-IVR

частка акцыі: 62934

Пажаданні
MLX90254LVA-BBA-000-BU

MLX90254LVA-BBA-000-BU

частка акцыі: 18507

Тэхналогія: Hall Effect, Тып выхаду: Open Drain, Дыяпазон зандзіравання: 0.5mT Trip, -0.5mT Release, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 24V, Ток - запас (макс.): 12mA,

Пажаданні
MLX90363KGO-ABB-000-TU

MLX90363KGO-ABB-000-TU

частка акцыі: 6352

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15.5mA,

Пажаданні
MLX90363EDC-ABB-000-TU

MLX90363EDC-ABB-000-TU

частка акцыі: 14848

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15.5mA,

Пажаданні
MLX90215EVA-AAA-106-BU

MLX90215EVA-AAA-106-BU

частка акцыі: 16440

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 6.5mA,

Пажаданні
HW322-B-15-F

HW322-B-15-F

частка акцыі: 36116

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
KMZ41,118

KMZ41,118

частка акцыі: 71407

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 9V,

Пажаданні
HAL2420UT-A

HAL2420UT-A

частка акцыі: 51242

Пажаданні
HAL2455UT-A

HAL2455UT-A

частка акцыі: 49779

Пажаданні
HMC1002-TR

HMC1002-TR

частка акцыі: 4107

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.2mT, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 12V,

Пажаданні
HMC1021S-TR

HMC1021S-TR

частка акцыі: 20174

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2V ~ 25V,

Пажаданні
HMC1001-RC

HMC1001-RC

частка акцыі: 3747

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.2mT, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 12V,

Пажаданні
OHS3150U

OHS3150U

частка акцыі: 38546

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: Unlimited, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 6V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
G-MRCO-017

G-MRCO-017

частка акцыі: 66935

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 30V,

Пажаданні
G-MRCO-001

G-MRCO-001

частка акцыі: 40414

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 5V, Ток - запас (макс.): 9mA,

Пажаданні
RR110-A111-00

RR110-A111-00

частка акцыі: 61608

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: 1mT ~ 7mT, Напружанне - харчаванне: 15V, Ток - запас (макс.): 1mA,

Пажаданні