Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне

DMC961010R

частка акцыі: 180540

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMG963HE0R

частка акцыі: 116622

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, 30V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMG964020R

частка акцыі: 109324

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMA261090R

частка акцыі: 197835

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMA561050R

частка акцыі: 140824

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMA566040R

частка акцыі: 144783

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

PUMB13,115

частка акцыі: 135074

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PEMB20,115

частка акцыі: 190576

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Пажаданні

PEMH4,115

частка акцыі: 152831

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

PEMD10,115

частка акцыі: 175106

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PEMD9,315

частка акцыі: 175394

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

PUMD6,115

частка акцыі: 120069

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

PEMD18,115

частка акцыі: 131135

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PQMD10Z

частка акцыі: 168498

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PUMH11,115

частка акцыі: 169667

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

PQMD16Z

частка акцыі: 135523

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

PEMD48,115

частка акцыі: 134458

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PBLS6022D,115

частка акцыі: 198891

Тып транзістара: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, 60V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V,

Пажаданні

PUMD24,115

частка акцыі: 161675

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

PEMB3,115

частка акцыі: 146565

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

PEMH2,115

частка акцыі: 188104

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

FMG3AT148

частка акцыі: 190771

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

IMD3AT108

частка акцыі: 104089

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

IMD6AT108

частка акцыі: 171065

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

IMH4AT110

частка акцыі: 176163

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

FMG1AT148

частка акцыі: 145021

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

EMH3T2R

частка акцыі: 185990

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

RN2503(TE85L,F)

частка акцыі: 155

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN2606(TE85L,F)

частка акцыі: 132

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN4987,LF(CT

частка акцыі: 131504

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN49A2,LF(CT

частка акцыі: 119081

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN2710JE(TE85L,F)

частка акцыі: 107

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Пажаданні