Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне

EMG9T2R

частка акцыі: 183074

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

EMA5T2R

частка акцыі: 112853

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

UMB3NTN

частка акцыі: 176971

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

UMB10NTN

частка акцыі: 138064

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

EMD53T2R

частка акцыі: 198185

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

EMH25FHAT2R

частка акцыі: 50

Тып транзістара: 2 NPN Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

IMB2AT110

частка акцыі: 172732

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

EMB4T2R

частка акцыі: 135348

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

DMA2610F0R

частка акцыі: 162747

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMG564060R

частка акцыі: 147795

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMC964040R

частка акцыі: 104777

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMG963010R

частка акцыі: 199331

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMA261060R

частка акцыі: 137160

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

XP0121400L

частка акцыі: 199836

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMC5610M0R

частка акцыі: 159217

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMG564010R

частка акцыі: 151430

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DMA561020R

частка акцыі: 166695

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

PUMH18,115

частка акцыі: 132287

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PEMD2,315

частка акцыі: 135109

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

PUMD13,115

частка акцыі: 120743

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PUMB9,125

частка акцыі: 189889

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

PUMH15,115

частка акцыі: 166095

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PUMD2,165

частка акцыі: 122626

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

PQMD13Z

частка акцыі: 190899

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

PEMD19,115

частка акцыі: 123667

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

RN1903,LF(CT

частка акцыі: 100046

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN1508(TE85L,F)

частка акцыі: 80

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN1904,LF(CT

частка акцыі: 161530

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN2704JE(TE85L,F)

частка акцыі: 106

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN2504(TE85L,F)

частка акцыі: 117

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

SMUN5216DW1T1G

частка акцыі: 155827

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

SSVMUN5312DW1T2G

частка акцыі: 122645

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

NSVMUN5137DW1T1G

частка акцыі: 139504

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

NSVMUN5133DW1T1G

частка акцыі: 198374

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні