Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

7208L20JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7208L20JG8

частка акцыі: 1989

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72265LA10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72265LA10TFG8

частка акцыі: 1950

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72V3641L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3641L15PFG

частка акцыі: 1951

Памер памяці: 36K (1K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 400µA,

Пажаданні
72V3642L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3642L10PFG

частка акцыі: 1948

Памер памяці: 72k (1k x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
723622L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

723622L15PFG

частка акцыі: 1985

Памер памяці: 18K (256 x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
72V271LA15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V271LA15PFGI8

частка акцыі: 2012

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V265LA10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V265LA10PFG8

частка акцыі: 1981

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V271LA10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V271LA10PFG8

частка акцыі: 1987

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V3640L6BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3640L6BB

частка акцыі: 2034

Памер памяці: 36K (1K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V265LA10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V265LA10TFG8

частка акцыі: 2057

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V265LA15TFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V265LA15TFGI8

частка акцыі: 1996

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V841L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V841L10PFG

частка акцыі: 2029

Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V2103L10PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L10PFI

частка акцыі: 986

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V3643L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3643L10PFG

частка акцыі: 68

Памер памяці: 36K (1K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
723624L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

723624L15PFG

частка акцыі: 2069

Памер памяці: 18K (256 x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
72255LA10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72255LA10PFG

частка акцыі: 2071

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72V261LA10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V261LA10PFG

частка акцыі: 2004

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100kHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V255LA10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V255LA10PFG

частка акцыі: 2067

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72255LA10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72255LA10TFG

частка акцыі: 2085

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72V255LA15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V255LA15PFGI

частка акцыі: 1992

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V255LA10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V255LA10TFG

частка акцыі: 2057

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72255LA15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72255LA15PFGI

частка акцыі: 2017

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72V255LA15TFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V255LA15TFGI

частка акцыі: 2070

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72261LA15TFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72261LA15TFGI

частка акцыі: 2061

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 75mA,

Пажаданні
72V261LA10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V261LA10TFG

частка акцыі: 2059

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V82L15PA/6280
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V82L15PA/6280

частка акцыі: 3447

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
7207L15JI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L15JI

частка акцыі: 4459

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7205L35J/6280
IDT, Integrated Device Technology Inc

7205L35J/6280

частка акцыі: 4523

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.22MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
74HCT7403D-Q100,51
NXP USA Inc.

74HCT7403D-Q100,51

частка акцыі: 4583

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 30MHz, Час доступу: 61ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 1mA,

Пажаданні
74HCT7403D,518
NXP USA Inc.

74HCT7403D,518

частка акцыі: 4655

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 30MHz, Час доступу: 61ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 1mA,

Пажаданні
74HC7403D-Q100,518
NXP USA Inc.

74HC7403D-Q100,518

частка акцыі: 4628

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 30MHz, Час доступу: 49ns, Напружанне - харчаванне: 2V ~ 6V, Ток - запас (макс.): 1mA,

Пажаданні
74HCT7030D,118
NXP USA Inc.

74HCT7030D,118

частка акцыі: 4613

Памер памяці: 576 (64 x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 29MHz, Час доступу: 40ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
74HCT7403D,512
NXP USA Inc.

74HCT7403D,512

частка акцыі: 3468

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 30MHz, Час доступу: 61ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 1mA,

Пажаданні
74HCT7030N,112
NXP USA Inc.

74HCT7030N,112

частка акцыі: 4545

Памер памяці: 576 (64 x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 29MHz, Час доступу: 40ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
74HC7403D,512
NXP USA Inc.

74HC7403D,512

частка акцыі: 4507

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 30MHz, Час доступу: 49ns, Напружанне - харчаванне: 2V ~ 6V, Ток - запас (макс.): 1mA,

Пажаданні
74HCT7030D,112
NXP USA Inc.

74HCT7030D,112

частка акцыі: 4496

Памер памяці: 576 (64 x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 29MHz, Час доступу: 40ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні