Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V3680L6BBG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L6BBG8

частка акцыі: 1441

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V283L7-5PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V283L7-5PFGI8

частка акцыі: 1445

Памер памяці: 576K (32K x 18)(64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V3680L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L6PFG8

частка акцыі: 1470

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3680L6BB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L6BB8

частка акцыі: 1428

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V265LA10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V265LA10PFG

частка акцыі: 1440

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
723632L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

723632L15PFG

частка акцыі: 1493

Памер памяці: 36K (512 x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
7203L20LB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7203L20LB8

частка акцыі: 1442

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72825LB15BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72825LB15BG8

частка акцыі: 1435

Памер памяці: 36K (1K x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
723642L15PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

723642L15PFG8

частка акцыі: 1509

Памер памяці: 72k (1k x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
72V3672L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3672L10PFG8

частка акцыі: 1476

Памер памяці: 576K (8K x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V,

Пажаданні
72V3680L7-5BB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L7-5BB8

частка акцыі: 1511

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
7203L40LB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7203L40LB

частка акцыі: 1557

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 20MHz, Час доступу: 40ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72V281L15TFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V281L15TFGI8

частка акцыі: 1521

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V275L15TFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V275L15TFGI8

частка акцыі: 1596

Памер памяці: 1.125M (64K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V275L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V275L15PFGI8

частка акцыі: 1559

Памер памяці: 576K (32K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V281L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V281L10PFG8

частка акцыі: 1523

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V275L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V275L10TFG8

частка акцыі: 1525

Памер памяці: 576K (32K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V275L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V275L10PFG8

частка акцыі: 1522

Памер памяці: 576K (32K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V281L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V281L15PFGI8

частка акцыі: 1603

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V281L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V281L10TFG8

частка акцыі: 1548

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
723641L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

723641L15PFG

частка акцыі: 1532

Памер памяці: 36K (1K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 11ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400µA,

Пажаданні
7208L25JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7208L25JGI

частка акцыі: 1604

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7208L20JG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7208L20JG

частка акцыі: 1556

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72271LA10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72271LA10PFG

частка акцыі: 1607

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 75mA,

Пажаданні
72265LA15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72265LA15PFGI

частка акцыі: 1615

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72265LA10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72265LA10TFG

частка акцыі: 1585

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72825LB25BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72825LB25BG8

частка акцыі: 1590

Памер памяці: 36K (1K x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72V3670L7-5PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3670L7-5PFGI8

частка акцыі: 1647

Памер памяці: 288K (8K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3670L6BB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3670L6BB8

частка акцыі: 1620

Памер памяці: 288K (8K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3670L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3670L6PFG8

частка акцыі: 1659

Памер памяці: 288K (8K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V265LA10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V265LA10TFG

частка акцыі: 1650

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V271LA15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V271LA15PFGI

частка акцыі: 1646

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V265LA15TFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V265LA15TFGI

частка акцыі: 1660

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V271LA10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V271LA10PFG

частка акцыі: 1660

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V275L15PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V275L15PFG8

частка акцыі: 1685

Памер памяці: 576K (32K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V3660L6PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3660L6PFG

частка акцыі: 1709

Памер памяці: 144K (4K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні