Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

5962-9470401QXA
Texas Instruments

5962-9470401QXA

частка акцыі: 563

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 95mA,

Пажаданні
7207L20LB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L20LB

частка акцыі: 316

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
7207L20LB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L20LB8

частка акцыі: 307

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
7207L30LB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L30LB

частка акцыі: 354

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 25MHz, Час доступу: 30ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
7207L30LB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L30LB8

частка акцыі: 329

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 25MHz, Час доступу: 30ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
7207L20DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L20DB

частка акцыі: 344

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
7206L20LB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7206L20LB

частка акцыі: 343

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72T36135ML6BBI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36135ML6BBI

частка акцыі: 388

Памер памяці: 18M (512K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66MHz, 166MHz, Час доступу: 12ns, 3.8ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 180mA,

Пажаданні
72T36135ML5BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36135ML5BBG

частка акцыі: 414

Памер памяці: 18M (512K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 180mA,

Пажаданні
72T36135ML5BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36135ML5BB

частка акцыі: 394

Памер памяці: 18M (512K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 180mA,

Пажаданні
72T36135ML6BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36135ML6BB

частка акцыі: 420

Памер памяці: 18M (512K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66MHz, 166MHz, Час доступу: 12ns, 3.8ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 180mA,

Пажаданні
72T72115L5BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T72115L5BBGI

частка акцыі: 449

Памер памяці: 9M (128K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
72T72115L5BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T72115L5BB

частка акцыі: 435

Памер памяці: 9M (128K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
7206L30LB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7206L30LB

частка акцыі: 424

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 25MHz, Час доступу: 30ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72T18125L4-4BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T18125L4-4BBG

частка акцыі: 403

Памер памяці: 9M (512K x 18)(1M x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні
72T18125L5BBI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T18125L5BBI

частка акцыі: 474

Памер памяці: 9M (512K x 18)(1M x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні
7206L20LB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7206L20LB8

частка акцыі: 419

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
7207L30DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L30DB

частка акцыі: 434

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 25MHz, Час доступу: 30ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72T72115L4-4BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T72115L4-4BB

частка акцыі: 422

Памер памяці: 9M (128K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
72T72115L5BBI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T72115L5BBI

частка акцыі: 459

Памер памяці: 9M (128K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
7205L20LB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7205L20LB

частка акцыі: 542

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72T72105L4-4BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T72105L4-4BB

частка акцыі: 538

Памер памяці: 4.5M (64K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
72T72105L5BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T72105L5BBGI

частка акцыі: 507

Памер памяці: 4.5M (64K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
72T72105L4-4BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T72105L4-4BBG

частка акцыі: 513

Памер памяці: 4.5M (64K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
72T36125L5BBI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36125L5BBI

частка акцыі: 486

Памер памяці: 9M (256K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 90mA,

Пажаданні
72T36125L4-4BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36125L4-4BB

частка акцыі: 520

Памер памяці: 9M (256K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 90mA,

Пажаданні
72T36125L4-4BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36125L4-4BBG

частка акцыі: 467

Памер памяці: 9M (256K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 90mA,

Пажаданні
72T18125L5BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T18125L5BBGI

частка акцыі: 491

Памер памяці: 9M (512K x 18)(1M x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні
72T36125L5BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36125L5BBGI

частка акцыі: 490

Памер памяці: 9M (256K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 90mA,

Пажаданні
72T18125L4-4BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T18125L4-4BB

частка акцыі: 489

Памер памяці: 9M (512K x 18)(1M x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні
72T72115L6-7BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T72115L6-7BB

частка акцыі: 516

Памер памяці: 9M (128K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66MHz, 150MHz, Час доступу: 12ns, 3.8ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
7206L20DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7206L20DB

частка акцыі: 555

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72T7295L4-4BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T7295L4-4BB

частка акцыі: 516

Памер памяці: 2.25M (32K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
72T7295L4-4BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T7295L4-4BBG

частка акцыі: 506

Памер памяці: 2.25M (32K x 72), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 130mA,

Пажаданні
7206L30LB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7206L30LB8

частка акцыі: 562

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 25MHz, Час доступу: 30ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72T36125L5BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T36125L5BB

частка акцыі: 573

Памер памяці: 9M (256K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 90mA,

Пажаданні