Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

7204L20TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7204L20TDB

частка акцыі: 1048

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72V2103L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L15PFG

частка акцыі: 1098

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V36100L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V36100L6PFG8

частка акцыі: 1110

Памер памяці: 2.25M (64K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V36100L6BB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V36100L6BB8

частка акцыі: 1090

Памер памяці: 2.25M (64K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V36100L7-5PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V36100L7-5PFGI8

частка акцыі: 1116

Памер памяці: 2.25M (64K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V2103L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L6PFG8

частка акцыі: 1103

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V283L7-5BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V283L7-5BCI

частка акцыі: 1141

Памер памяці: 576K (32K x 18)(64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V3680L6BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L6BB

частка акцыі: 1156

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3680L7-5BBI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L7-5BBI

частка акцыі: 1141

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V283L6BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V283L6BC

частка акцыі: 1097

Памер памяці: 576K (32K x 18)(64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V3680L6BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L6BBG

частка акцыі: 1169

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V283L6BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V283L6BCG

частка акцыі: 1153

Памер памяці: 576K (32K x 18)(64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V285L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V285L15PFGI

частка акцыі: 72

Памер памяці: 1.125M (64K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V291L10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V291L10TFG

частка акцыі: 1176

Памер памяці: 1.125M (128K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V285L10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V285L10TFG

частка акцыі: 1174

Памер памяці: 1.125M (64K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V285L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V285L10PFG

частка акцыі: 1136

Памер памяці: 1.125M (64K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V291L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V291L10PFG

частка акцыі: 138

Памер памяці: 1.125M (128K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V3680L7-5PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L7-5PFGI

частка акцыі: 106

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V283L7-5PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V283L7-5PFGI

частка акцыі: 1193

Памер памяці: 576K (32K x 18)(64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V3680L6PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L6PFG

частка акцыі: 1127

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V36100L7-5BB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V36100L7-5BB8

частка акцыі: 1200

Памер памяці: 2.25M (64K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V283L7-5BC
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V283L7-5BC

частка акцыі: 1236

Памер памяці: 576K (32K x 18)(64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V3680L7-5BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3680L7-5BB

частка акцыі: 1228

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
723642L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

723642L15PFG

частка акцыі: 1170

Памер памяці: 72k (1k x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
72V3672L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3672L10PFG

частка акцыі: 1213

Памер памяці: 576K (8K x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V,

Пажаданні
7204L30LB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7204L30LB8

частка акцыі: 1190

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 25MHz, Час доступу: 30ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
7203L20LB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7203L20LB

частка акцыі: 1284

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 150mA,

Пажаданні
72825LB15BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72825LB15BGG

частка акцыі: 1260

Памер памяці: 36K (1K x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72825LB15BG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72825LB15BG

частка акцыі: 1189

Памер памяці: 36K (1K x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72V3690L6BB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3690L6BB8

частка акцыі: 1267

Памер памяці: 1.152M (32K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3690L6BBG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3690L6BBG8

частка акцыі: 134

Памер памяці: 1.152M (32K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3690L7-5PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3690L7-5PFGI8

частка акцыі: 1212

Памер памяці: 1.152M (32K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3690L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3690L6PFG8

частка акцыі: 1209

Памер памяці: 1.125M (32K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V2101L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L10PFG8

частка акцыі: 1204

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V295L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V295L10PFG8

частка акцыі: 1275

Памер памяці: 2.25M (128K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V295L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V295L15PFGI8

частка акцыі: 1253

Памер памяці: 2.25M (128K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні