Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V3640L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3640L6PFG8

частка акцыі: 4279

Памер памяці: 36K (1K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3640L6PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3640L6PFG

частка акцыі: 4213

Памер памяці: 36K (1K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V283L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V283L6PFG8

частка акцыі: 4208

Памер памяці: 576K (32K x 18)(64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V36110L7-5PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V36110L7-5PFGI8

частка акцыі: 4210

Памер памяці: 4.7M (131K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V36110L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V36110L6PFG8

частка акцыі: 3489

Памер памяці: 4.7M (131K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V273L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V273L6PFG8

частка акцыі: 4200

Памер памяці: 288K (16K x 18)(32K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V283L6PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V283L6PFG

частка акцыі: 3488

Памер памяці: 576K (32K x 18)(64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V263L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V263L6PFG8

частка акцыі: 3506

Памер памяці: 144K (8K x 18)(16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V265LA15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V265LA15PFGI

частка акцыі: 4229

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V265LA15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V265LA15PFGI8

частка акцыі: 4235

Памер памяці: 288K (16K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V205L15TFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L15TFGI8

частка акцыі: 4211

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V2113L7-5PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L7-5PFGI8

частка акцыі: 4158

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L6PFG8

частка акцыі: 4170

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V205L15TFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L15TFGI

частка акцыі: 4190

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
7284L15PAGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7284L15PAGI

частка акцыі: 4221

Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
7284L12PAG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7284L12PAG8

частка акцыі: 4159

Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
7284L12PAG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7284L12PAG

частка акцыі: 115

Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
72801L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L15PFGI8

частка акцыі: 4199

Памер памяці: 4.6K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
7207L15PDG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L15PDG

частка акцыі: 2036

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7282L15PAGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7282L15PAGI8

частка акцыі: 4132

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
7207L15JG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L15JG

частка акцыі: 2061

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72801L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L15PFGI

частка акцыі: 4085

Памер памяці: 4.6K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72421L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72421L10PFG8

частка акцыі: 4076

Памер памяці: 576 (64 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
723633L12PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

723633L12PFG8

частка акцыі: 4120

Памер памяці: 18K (512 x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
72201L15JGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72201L15JGI8

частка акцыі: 8431

Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72421L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72421L10PFG

частка акцыі: 3505

Памер памяці: 576 (64 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
7206L15PDG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7206L15PDG

частка акцыі: 4138

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72201L15JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72201L15JGI

частка акцыі: 4073

Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V3640L7-5PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3640L7-5PFGI

частка акцыі: 2088

Памер памяці: 36K (1K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72T1875L5BBI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1875L5BBI8

частка акцыі: 4109

Памер памяці: 288K (16K x 18)(32K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72T1895L5BBI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1895L5BBI8

частка акцыі: 4089

Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72T1865L5BBI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1865L5BBI8

частка акцыі: 3431

Памер памяці: 144K (8K x 18)(16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72T1895L6-7BBI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1895L6-7BBI

частка акцыі: 4038

Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72T1865L5BBGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1865L5BBGI8

частка акцыі: 4102

Памер памяці: 144K (8K x 18)(16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72420L10TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72420L10TPG

частка акцыі: 3098

Памер памяці: 512 (64 x 8), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72T1865L5BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1865L5BBGI

частка акцыі: 3436

Памер памяці: 144K (8K x 18)(16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні