Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72T1895L4-4BBI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1895L4-4BBI

частка акцыі: 3992

Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72210L10TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72210L10TPG

частка акцыі: 2973

Памер памяці: 4K (512 x 8), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72220L10TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72220L10TPG

частка акцыі: 2641

Памер памяці: 8K (1K x 8), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V831L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V831L10TFG8

частка акцыі: 4051

Памер памяці: 36K (2K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72200L10TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72200L10TPG

частка акцыі: 3964

Памер памяці: 2K (256 x 8), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V851L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V851L10TFG8

частка акцыі: 3470

Памер памяці: 144K (8K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V82L20PAI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V82L20PAI

частка акцыі: 5784

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V82L20PAI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V82L20PAI8

частка акцыі: 7509

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V811L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L10TFG8

частка акцыі: 3949

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V81L20PAI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V81L20PAI8

частка акцыі: 8767

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V81L20PAI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V81L20PAI

частка акцыі: 6784

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72T1895L5BBGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1895L5BBGI8

частка акцыі: 1110

Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V3622L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3622L15PFGI

частка акцыі: 2295

Памер памяці: 18K (256 x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
72V3622L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3622L15PFGI8

частка акцыі: 2864

Памер памяці: 18K (256 x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
72T1895L4-4BBG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1895L4-4BBG8

частка акцыі: 1090

Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72T1895L5BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1895L5BBGI

частка акцыі: 903

Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72825LB15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72825LB15PFGI8

частка акцыі: 2740

Памер памяці: 36K (1K x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72841L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72841L10TFG8

частка акцыі: 3899

Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72T1895L4-4BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T1895L4-4BBG

частка акцыі: 881

Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72811L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72811L10TFG8

частка акцыі: 3931

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72825LB15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72825LB15PFGI

частка акцыі: 2170

Памер памяці: 36K (1K x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72403L10DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72403L10DB

частка акцыі: 3864

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 10MHz, Час доступу: 55ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 45mA,

Пажаданні
72401L25DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72401L25DB

частка акцыі: 3912

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 25MHz, Час доступу: 34ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 45mA,

Пажаданні
72401L35DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72401L35DB

частка акцыі: 3936

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 35MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 45mA,

Пажаданні
723624L12PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

723624L12PFG8

частка акцыі: 2363

Памер памяці: 18K (256 x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400mA,

Пажаданні
72401L15DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72401L15DB

частка акцыі: 3927

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 15MHz, Час доступу: 40ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 45mA,

Пажаданні
72401L10DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72401L10DB

частка акцыі: 3831

Памер памяці: 256 (64 x 4), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 10MHz, Час доступу: 55ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 45mA,

Пажаданні
72285L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72285L15PFGI8

частка акцыі: 3862

Памер памяці: 1.125M (64K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 90mA,

Пажаданні
723616L15PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

723616L15PFG8

частка акцыі: 3882

Памер памяці: 4.5K (64 x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 1mA,

Пажаданні
72285L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72285L10PFG8

частка акцыі: 3891

Памер памяці: 1.152M (64K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 90mA,

Пажаданні
72281L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72281L10PFG8

частка акцыі: 3889

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72285L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72285L15PFGI

частка акцыі: 3889

Памер памяці: 1.125M (64K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 90mA,

Пажаданні
72281L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72281L10PFG

частка акцыі: 3470

Памер памяці: 576K (64K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72V3656L10PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3656L10PFI

частка акцыі: 1433

Памер памяці: 144K (2K x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V,

Пажаданні
72V36100L7-5PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V36100L7-5PFI8

частка акцыі: 1132

Памер памяці: 2.25M (64K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3656L10PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3656L10PFI8

частка акцыі: 1586

Памер памяці: 144K (2K x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V,

Пажаданні