Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V821L10TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V821L10TF

частка акцыі: 3029

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V821L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V821L10PF

частка акцыі: 2449

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
7207L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc

7207L25J

частка акцыі: 2166

Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V81L20PA8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V81L20PA8

частка акцыі: 9860

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72V81L20PA
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V81L20PA

частка акцыі: 7620

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72V81L15PA8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V81L15PA8

частка акцыі: 8773

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72V815L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V815L20PF

частка акцыі: 3111

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V81L15PA
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V81L15PA

частка акцыі: 6793

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72V815L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V815L10PF8

частка акцыі: 3024

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V815L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V815L15PF8

частка акцыі: 3517

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V815L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V815L15PF

частка акцыі: 2764

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V811L20TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L20TF8

частка акцыі: 3017

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V815L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V815L10PF

частка акцыі: 2444

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V811L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L20PF

частка акцыі: 3440

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L20PF8

частка акцыі: 4401

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L20TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L20TF

частка акцыі: 2987

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L15TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L15TF

частка акцыі: 3008

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L15TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L15TF8

частка акцыі: 3006

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L15PFI8

частка акцыі: 3358

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L15PF8

частка акцыі: 3825

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L15PFI

частка акцыі: 2723

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L15PF

частка акцыі: 3053

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L10TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L10TF8

частка акцыі: 2906

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L10PF

частка акцыі: 2744

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L10TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L10TF

частка акцыі: 2863

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V811L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V811L10PF8

частка акцыі: 3327

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V805L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V805L20PF

частка акцыі: 3521

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V805L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V805L20PF8

частка акцыі: 4454

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V805L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V805L15PF8

частка акцыі: 3866

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V805L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V805L10PF8

частка акцыі: 3361

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V805L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V805L15PF

частка акцыі: 3049

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V805L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V805L10PF

частка акцыі: 2692

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V801L20TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V801L20TF8

частка акцыі: 2865

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V801L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V801L20PF8

частка акцыі: 4938

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V801L20TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V801L20TF

частка акцыі: 2836

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V801L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V801L20PF

частка акцыі: 3902

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні