Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы

MMDT5551-7

частка акцыі: 4384

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

ZXTC2062E6TA

частка акцыі: 183922

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, 3.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V,

Пажаданні

ZDT617TC

частка акцыі: 4586

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

Пажаданні

MMDT4126-7

частка акцыі: 5660

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Пажаданні

ZDT751TA

частка акцыі: 129833

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

DSS4160FDB-7

частка акцыі: 104821

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

MMDT4146-7-F

частка акцыі: 143993

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Пажаданні

MMDT3906VC-7

частка акцыі: 126235

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Пажаданні

ZDT1049TC

частка акцыі: 4486

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Пажаданні

Central Semiconductor Corp

MMDT3904VC-7

частка акцыі: 104531

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Пажаданні

MD8003

частка акцыі: 4477

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V,

Пажаданні

Central Semiconductor Corp

CMLT8099 TR

частка акцыі: 140118

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

частка акцыі: 124168

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Пажаданні

MBT3904DW1T1H

частка акцыі: 101843

Пажаданні

NSV60100DMTWTBG

частка акцыі: 119511

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

NSVT30010MXV6T1G

частка акцыі: 190882

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

SBC847CDXV6T1G

частка акцыі: 134785

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

NSV40301MDR2G

частка акцыі: 122484

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

частка акцыі: 163

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

частка акцыі: 1620

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

частка акцыі: 301

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

MMDT4403-TP

частка акцыі: 145891

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

MMDT3906-TP

частка акцыі: 128439

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Пажаданні

PBSS5160DS,115

частка акцыі: 133335

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 770mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V,

Пажаданні

PBSS4130PAN,115

частка акцыі: 150996

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

PMBT3906YS,115

частка акцыі: 133965

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Пажаданні

PBSS4032SP,115

частка акцыі: 155040

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 4.8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 510mV @ 250mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Пажаданні