Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы

ZDT6718TC

ZDT6718TC

частка акцыі: 4485

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V,

Пажаданні
MMDT2227-7

MMDT2227-7

частка акцыі: 4423

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Пажаданні
ZDT6758TA

ZDT6758TA

частка акцыі: 4405

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

Пажаданні
ZDT6702TA

ZDT6702TA

частка акцыі: 4463

Тып транзістара: NPN, PNP Darlington (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.75A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V,

Пажаданні
MMDT2222A-7-F

MMDT2222A-7-F

частка акцыі: 113190

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Пажаданні
ULN2001D1013TR

ULN2001D1013TR

частка акцыі: 116684

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Пажаданні
L6221CD013TR

L6221CD013TR

частка акцыі: 4447

Тып транзістара: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V,

Пажаданні
E-ULN2001A

E-ULN2001A

частка акцыі: 4468

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Пажаданні
PMP4201G,135

PMP4201G,135

частка акцыі: 169899

Тып транзістара: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Пажаданні
PBSS4260PANSX

PBSS4260PANSX

частка акцыі: 103156

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

Пажаданні
PUMT1,115

PUMT1,115

частка акцыі: 186793

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Пажаданні
PBSS4041SPN,115

PBSS4041SPN,115

частка акцыі: 155017

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6.7A, 5.9A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 350mA, 7A / 275mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 4A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

Пажаданні
XP0140100L

XP0140100L

частка акцыі: 4443

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Пажаданні
XN0150900L

XN0150900L

частка акцыі: 151617

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 10V,

Пажаданні
DMA201010R

DMA201010R

частка акцыі: 187921

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Пажаданні
XP0643500L

XP0643500L

частка акцыі: 4573

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 10V,

Пажаданні
XN0250100L

XN0250100L

частка акцыі: 4500

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Пажаданні
XN0450200L

XN0450200L

частка акцыі: 4419

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Пажаданні
ULN2004AINSE4

ULN2004AINSE4

частка акцыі: 4436

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA,

Пажаданні
ULN2004AINS

ULN2004AINS

частка акцыі: 4448

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA,

Пажаданні
ULN2003ANSRE4

ULN2003ANSRE4

частка акцыі: 161418

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA,

Пажаданні
NSVT3946DP6T5G

NSVT3946DP6T5G

частка акцыі: 194061

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V,

Пажаданні
EMX2DXV6T5G

EMX2DXV6T5G

частка акцыі: 131066

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Пажаданні
NST65011MW6T1G

NST65011MW6T1G

частка акцыі: 154437

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 65V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Пажаданні
NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2G

частка акцыі: 115078

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Пажаданні
HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G

частка акцыі: 165648

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 2µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Пажаданні
MCH6536-TL-E

MCH6536-TL-E

частка акцыі: 6450

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700mA, 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Пажаданні
FMBM5551

FMBM5551

частка акцыі: 187576

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні
JANTX2N3810U

JANTX2N3810U

частка акцыі: 1675

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Пажаданні
JANTX2N6987

JANTX2N6987

частка акцыі: 1284

Тып транзістара: 4 PNP (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Пажаданні
MD2369

MD2369

частка акцыі: 4474

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Пажаданні
MD2905

MD2905

частка акцыі: 4460

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Пажаданні
STA413A

STA413A

частка акцыі: 19183

Тып транзістара: 4 NPN (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

Пажаданні
STA403A

STA403A

частка акцыі: 23201

Тып транзістара: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100V @ 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 4V,

Пажаданні
SMBT3906SE6327HTSA1

SMBT3906SE6327HTSA1

частка акцыі: 4488

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Пажаданні
IMZ1AT108

IMZ1AT108

частка акцыі: 154056

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Пажаданні