Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

RF1601NS2DFHTL
Rohm Semiconductor

RF1601NS2DFHTL

частка акцыі: 163

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
RB425DFHT146
Rohm Semiconductor

RB425DFHT146

частка акцыі: 116312

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRS15100CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT MNG

частка акцыі: 148

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS1660HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660HMNG

частка акцыі: 111

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
HERF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008G C0G

частка акцыі: 164

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR1050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1050CT C0G

частка акцыі: 73

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
UG1004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004GHC0G

частка акцыі: 112

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRF20100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100HC0G

частка акцыі: 121

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR1660PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660PTHC0G

частка акцыі: 119

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRS20150CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CT-Y MNG

частка акцыі: 153

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRS1090CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CT MNG

частка акцыі: 94

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRF1090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090HC0G

частка акцыі: 131

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
UG1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004G C0G

частка акцыі: 100

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
GP1607 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1607 C0G

частка акцыі: 141

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRF2050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2050 C0G

частка акцыі: 138

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR20150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150 C0G

частка акцыі: 139

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR2040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2040 C0G

частка акцыі: 78

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SS8P2CL-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/86A

частка акцыі: 116820

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-MBRB4045CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTRHM3

частка акцыі: 51216

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-6CWQ06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTRHM3

частка акцыі: 83406

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-12CWQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRR-M3

частка акцыі: 179327

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-MBRB2090CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTHM3

частка акцыі: 87641

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SS8P6C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/87A

частка акцыі: 156747

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-6CWQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRLHM3

частка акцыі: 81352

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-40L40CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CW-N3

частка акцыі: 11518

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SS8P3C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3C-M3/87A

частка акцыі: 190422

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V10KM120DU-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10KM120DU-M3/H

частка акцыі: 164483

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 890mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4CHM3_A/H

частка акцыі: 156818

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-MBRB2080CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTHM3

частка акцыі: 87595

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SS10P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CLHM3_A/I

частка акцыі: 123071

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR3045CTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

частка акцыі: 83378

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
STTH602CBY-TR
STMicroelectronics

STTH602CBY-TR

частка акцыі: 175500

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
TBAV99,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

частка акцыі: 196401

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
DA37102D0L
Panasonic Electronic Components

DA37102D0L

частка акцыі: 124296

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
PMEG3020CPA,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3020CPA,115

частка акцыі: 189780

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 440mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MSRTA500120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

частка акцыі: 811

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні