Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

VS-4CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02-M3/87A

частка акцыі: 128271

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-42CTQ030S-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030S-1HM3

частка акцыі: 60706

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 480mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SS8P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CLHM3_A/I

частка акцыі: 149065

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-6CWQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRHM3

частка акцыі: 83931

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-12CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRR-M3

частка акцыі: 88987

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
UH4PDCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3_A/H

частка акцыі: 188540

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-MBR6045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR6045WT-N3

частка акцыі: 11025

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-40L45CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L45CW-N3

частка акцыі: 17070

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-40CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045STRR-M3

частка акцыі: 57459

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/87A

частка акцыі: 186416

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-30CPQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ045-N3

частка акцыі: 12874

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS16100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100 MNG

частка акцыі: 131

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020HMNG

частка акцыі: 151

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CTHC0G

частка акцыі: 107

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CT C0G

частка акцыі: 138

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRS2560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CTHMNG

частка акцыі: 115

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1640 C0G

частка акцыі: 119

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CT MNG

частка акцыі: 160

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRS2060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CT MNG

частка акцыі: 128

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601HC0G

частка акцыі: 93

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060HMNG

частка акцыі: 164

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2030 MNG

частка акцыі: 94

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS1660 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660 MNG

частка акцыі: 98

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100 C0G

частка акцыі: 94

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CTHC0G

частка акцыі: 142

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PT C0G

частка акцыі: 88

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PT C0G

частка акцыі: 141

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRS1060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CT MNG

частка акцыі: 127

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
FERD40L60CG-TR
STMicroelectronics

FERD40L60CG-TR

частка акцыі: 101

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 545mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
CDBD2045-G
Comchip Technology

CDBD2045-G

частка акцыі: 111182

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
CDBT-54C-G
Comchip Technology

CDBT-54C-G

частка акцыі: 118616

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
CDBGBSC101200-G
Comchip Technology

CDBGBSC101200-G

частка акцыі: 79

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 5A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні
DB3J315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3J315E0L

частка акцыі: 176834

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
DA204KT146
Rohm Semiconductor

DA204KT146

частка акцыі: 177494

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
RBQ10NS45AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ10NS45AFHTL

частка акцыі: 92

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
RB550EATR
Rohm Semiconductor

RB550EATR

частка акцыі: 110897

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 700mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 700mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні