Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

FST10020
GeneSiC Semiconductor

FST10020

частка акцыі: 1563

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR300150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

частка акцыі: 1446

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MUR40060CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

частка акцыі: 1286

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 125A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MUR2X100A12
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

частка акцыі: 3213

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.35V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR2X160A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

частка акцыі: 2552

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 160A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MURT20040
GeneSiC Semiconductor

MURT20040

частка акцыі: 1224

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MURT20005R
GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

частка акцыі: 1264

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR60080CT
GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

частка акцыі: 795

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

частка акцыі: 1429

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR50020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

частка акцыі: 1148

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRT50040
GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

частка акцыі: 1070

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MSRTA300100(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

частка акцыі: 1265

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

частка акцыі: 1842

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR12030CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

частка акцыі: 1542

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VT3060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060C-M3/4W

частка акцыі: 101161

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045C-M3/4W

частка акцыі: 129871

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100G-E3/4W

частка акцыі: 75843

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V12WM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12WM100C-M3/I

частка акцыі: 129155

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VF40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-E3/4W

частка акцыі: 55592

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.43V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V60D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D120CHM3/I

частка акцыі: 60897

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 960mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VF20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120C-E3/4W

частка акцыі: 78055

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VFT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT10202C-M3/4W

частка акцыі: 110034

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V20PW15C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW15C-M3/I

частка акцыі: 198027

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.24V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
M3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

M3060C-E3/4W

частка акцыі: 92762

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V20PWM10C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM10C-M3/I

частка акцыі: 165903

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VIT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-E3/4W

частка акцыі: 124012

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MF150C06F2-BP
Micro Commercial Co

MF150C06F2-BP

частка акцыі: 2098

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
LQA30T150C
Power Integrations

LQA30T150C

частка акцыі: 43099

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
LQA30B200C
Power Integrations

LQA30B200C

частка акцыі: 26345

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
DD98N25KHPSA1
Infineon Technologies

DD98N25KHPSA1

частка акцыі: 59

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 2500V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 98A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.53V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
DD89N18KHPSA1
Infineon Technologies

DD89N18KHPSA1

частка акцыі: 110

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 89A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
STPS640CBY-TR
STMicroelectronics

STPS640CBY-TR

частка акцыі: 109388

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
STPS3045CGY-TR
STMicroelectronics

STPS3045CGY-TR

частка акцыі: 71830

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRF4080CTL
SMC Diode Solutions

MBRF4080CTL

частка акцыі: 180945

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRF3040CT
SMC Diode Solutions

MBRF3040CT

частка акцыі: 172747

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRF2090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090 C0G

частка акцыі: 130

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні