Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

MBRD660CTG
ON Semiconductor

MBRD660CTG

частка акцыі: 81424

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
NRVHP820MFDT3G
ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

частка акцыі: 69

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRT300200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

частка акцыі: 1564

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR400150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

частка акцыі: 1548

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRT300150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

частка акцыі: 1563

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

частка акцыі: 1533

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR40080CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

частка акцыі: 1212

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR20060CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

частка акцыі: 1519

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

частка акцыі: 3870

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

частка акцыі: 1156

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

частка акцыі: 3030

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

частка акцыі: 1552

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MURT20020
GeneSiC Semiconductor

MURT20020

частка акцыі: 1213

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

частка акцыі: 972

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MSRT200140(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

частка акцыі: 1324

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR500100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

частка акцыі: 1192

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

частка акцыі: 3096

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRT12035
GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

частка акцыі: 1844

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MUR30060CT
GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

частка акцыі: 1342

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR12030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

частка акцыі: 1491

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
FST160150
GeneSiC Semiconductor

FST160150

частка акцыі: 1636

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V30DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

частка акцыі: 100592

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 970mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

частка акцыі: 109388

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

частка акцыі: 128134

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

частка акцыі: 102836

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VIT4060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

частка акцыі: 67167

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V40PW60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

частка акцыі: 116952

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VFT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

частка акцыі: 121490

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VIT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

частка акцыі: 47709

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V20M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

частка акцыі: 159782

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.01V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

частка акцыі: 58911

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
V20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

частка акцыі: 40301

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

частка акцыі: 120106

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

частка акцыі: 157

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

частка акцыі: 152

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.23V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

частка акцыі: 3747

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні