Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

BYQ28EB-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-150HE3/45

частка акцыі: 119219

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYQ28EF-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-100-E3/45

частка акцыі: 122173

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYQ28EF-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-100HE3/45

частка акцыі: 122211

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYQ28EF-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-150HE3/45

частка акцыі: 122166

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYQ28EF-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-150-E3/45

частка акцыі: 122246

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYQ28EF-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-200-E3/45

частка акцыі: 122212

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT28-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28-400-E3/45

частка акцыі: 143678

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT28-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28-300-E3/45

частка акцыі: 143674

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYQ28E-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28E-150-E3/45

частка акцыі: 153929

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYQ28E-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28E-100-E3/45

частка акцыі: 153933

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT54AT-7-F
Diodes Incorporated

BAT54AT-7-F

частка акцыі: 149093

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV23C-7-F
Diodes Incorporated

BAV23C-7-F

частка акцыі: 172414

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAV756DW-7-F
Diodes Incorporated

BAV756DW-7-F

частка акцыі: 158147

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair CA + CC, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT54CT-7-F
Diodes Incorporated

BAT54CT-7-F

частка акцыі: 154499

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV70-7-F
Diodes Incorporated

BAV70-7-F

частка акцыі: 135785

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS16TW-7-F
Diodes Incorporated

BAS16TW-7-F

частка акцыі: 198101

Канфігурацыя дыёда: 3 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS40-04T-7-F
Diodes Incorporated

BAS40-04T-7-F

частка акцыі: 177300

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT54ST-7-F
Diodes Incorporated

BAT54ST-7-F

частка акцыі: 156455

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT54STA
Diodes Incorporated

BAT54STA

частка акцыі: 196908

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS70-05-7-F
Diodes Incorporated

BAS70-05-7-F

частка акцыі: 162011

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV23A-7-F
Diodes Incorporated

BAV23A-7-F

частка акцыі: 114112

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT54SFILM
STMicroelectronics

BAT54SFILM

частка акцыі: 176554

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAS70-04W,115
Nexperia USA Inc.

BAS70-04W,115

частка акцыі: 146316

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAW56,215
Nexperia USA Inc.

BAW56,215

частка акцыі: 145677

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAV70,215
Nexperia USA Inc.

BAV70,215

частка акцыі: 109254

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAS16VV,115
Nexperia USA Inc.

BAS16VV,115

частка акцыі: 159420

Канфігурацыя дыёда: 3 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAW56,235
Nexperia USA Inc.

BAW56,235

частка акцыі: 153156

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAV99-G
Comchip Technology

BAV99-G

частка акцыі: 161138

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT54S-TP
Micro Commercial Co

BAT54S-TP

частка акцыі: 101040

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV99-TP
Micro Commercial Co

BAV99-TP

частка акцыі: 103006

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS70-05-TP
Micro Commercial Co

BAS70-05-TP

частка акцыі: 167808

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV70E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAV70E6327HTSA1

частка акцыі: 192880

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS70-04LT1G
ON Semiconductor

BAS70-04LT1G

частка акцыі: 113236

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV70WT1G
ON Semiconductor

BAV70WT1G

частка акцыі: 128620

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV70LT3G
ON Semiconductor

BAV70LT3G

частка акцыі: 198983

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS21DW5T1G
ON Semiconductor

BAS21DW5T1G

частка акцыі: 145701

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні