Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

BAV99T-7-F
Diodes Incorporated

BAV99T-7-F

частка акцыі: 146128

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 75mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV199Q-7-F
Diodes Incorporated

BAV199Q-7-F

частка акцыі: 192574

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 140mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 50mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAV99BRV-7
Diodes Incorporated

BAV99BRV-7

частка акцыі: 135499

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAV199W-7
Diodes Incorporated

BAV199W-7

частка акцыі: 182301

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 140mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS116V-7
Diodes Incorporated

BAS116V-7

частка акцыі: 101779

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT54AW-7-F
Diodes Incorporated

BAT54AW-7-F

частка акцыі: 147527

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS7005E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7005E6327HTSA1

частка акцыі: 117509

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS28 TR
Central Semiconductor Corp

BAS28 TR

частка акцыі: 122513

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAR43SFILM
STMicroelectronics

BAR43SFILM

частка акцыі: 108240

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV99T-TP
Micro Commercial Co

BAV99T-TP

частка акцыі: 148357

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 75mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT54TW-TP
Micro Commercial Co

BAT54TW-TP

частка акцыі: 145263

Канфігурацыя дыёда: 3 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BYVB32-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200-E3/81

частка акцыі: 80269

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVB32-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150-E3/81

частка акцыі: 80306

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVF32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100HE3/45

частка акцыі: 84390

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVB32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100HE3/45

частка акцыі: 84406

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVB32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200HE3/45

частка акцыі: 84421

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVB32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150HE3/45

частка акцыі: 84464

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVF32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150HE3/45

частка акцыі: 84448

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVF32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-200HE3/45

частка акцыі: 84465

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVB32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50HE3/45

частка акцыі: 84388

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVF32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50HE3/45

частка акцыі: 87228

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVF32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100-E3/45

частка акцыі: 87144

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVF32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150-E3/45

частка акцыі: 87197

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50-E3/45

частка акцыі: 87137

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT28B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300HE3/81

частка акцыі: 84901

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT28B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400HE3/81

частка акцыі: 84909

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVB32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50-E3/45

частка акцыі: 88816

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYVB32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100-E3/45

частка акцыі: 88779

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT28B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300-E3/81

частка акцыі: 87379

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT28B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400-E3/81

частка акцыі: 87329

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.

BAS40-07,215

частка акцыі: 164953

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV23,215
Nexperia USA Inc.

BAV23,215

частка акцыі: 115772

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 225mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAS70-05,215
Nexperia USA Inc.

BAS70-05,215

частка акцыі: 109258

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV99S,135
Nexperia USA Inc.

BAV99S,135

частка акцыі: 130049

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAV70S,135
Nexperia USA Inc.

BAV70S,135

частка акцыі: 195709

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAV74LT1G
ON Semiconductor

BAV74LT1G

частка акцыі: 180179

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні