Фіксаваныя індуктыўнасці

L0201R33AHSTR\500

L0201R33AHSTR\500

частка акцыі: 171969

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.33nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

HLC023R3BTTR

HLC023R3BTTR

частка акцыі: 148813

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 476mA,

HLC022R7BTTR

HLC022R7BTTR

частка акцыі: 106591

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 521mA,

HLC022R0BTTR

HLC022R0BTTR

частка акцыі: 162634

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 596mA,

HLC023R6BTTR

HLC023R6BTTR

частка акцыі: 140746

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 457mA,

HLC021R2BTTR

HLC021R2BTTR

частка акцыі: 151928

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 751mA,

HLC021R8BTTR

HLC021R8BTTR

частка акцыі: 139588

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 626mA,

HLC021R5BTTR

HLC021R5BTTR

частка акцыі: 191821

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 679mA,

HLC022R2BTTR

HLC022R2BTTR

частка акцыі: 157167

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 571mA,

L02011R5BHSTR\500

L02011R5BHSTR\500

частка акцыі: 131848

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,