Фіксаваныя індуктыўнасці

L0603120GGSTR

L0603120GGSTR

частка акцыі: 193348

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

L06038R2DGWTR\500

L06038R2DGWTR\500

частка акцыі: 118941

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

L06033R3CGWTR

L06033R3CGWTR

частка акцыі: 185416

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

HL025R6BTTR

HL025R6BTTR

частка акцыі: 137703

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 295mA,

L06032R7CGWTR

L06032R7CGWTR

частка акцыі: 192277

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0603150GGSTR

L0603150GGSTR

частка акцыі: 123639

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

L08053R3DEWTR

L08053R3DEWTR

частка акцыі: 179794

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08052R7DEWTR

L08052R7DEWTR

частка акцыі: 140657

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

L06033R3CGSTR

L06033R3CGSTR

частка акцыі: 171032

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08053R9DEWTR

L08053R9DEWTR

частка акцыі: 143332

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08051R8DEWTR

L08051R8DEWTR

частка акцыі: 183370

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

L06035R6CGSTR

L06035R6CGSTR

частка акцыі: 177081

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

HL026R8BTTR

HL026R8BTTR

частка акцыі: 143767

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 274mA,

L04021R5BHLTR

L04021R5BHLTR

частка акцыі: 131128

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

L0603100GGSTR

L0603100GGSTR

частка акцыі: 118328

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

L04023R9BHNTR

L04023R9BHNTR

частка акцыі: 157390

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,

L06034R7CGSTR

L06034R7CGSTR

частка акцыі: 139849

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

L06038R2CGSTR

L06038R2CGSTR

частка акцыі: 137232

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

L04022R7AHN

L04022R7AHN

частка акцыі: 174867

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,

L0603120JGWTR

L0603120JGWTR

частка акцыі: 182199

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

HLQ02100HTTR

HLQ02100HTTR

частка акцыі: 151233

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

HLQ021R3BTTR

HLQ021R3BTTR

частка акцыі: 131998

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 330mA,

HLQ022R4BTTR

HLQ022R4BTTR

частка акцыі: 151632

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 245mA,

HLQ022R7BTTR

HLQ022R7BTTR

частка акцыі: 117151

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 245mA,

HLQ021R0BTTR

HLQ021R0BTTR

частка акцыі: 195042

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 330mA,

L06035R6DGWTR

L06035R6DGWTR

частка акцыі: 198081

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

HLC024R7BTTR

HLC024R7BTTR

частка акцыі: 140623

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 405mA,

HLQ021R1BTTR

HLQ021R1BTTR

частка акцыі: 164532

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 330mA,

HLQ025R6BTTR

HLQ025R6BTTR

частка акцыі: 137924

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 170mA,

HLC028R2GTTR

HLC028R2GTTR

частка акцыі: 111774

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 315mA,

L0603100JGWTR

L0603100JGWTR

частка акцыі: 155456

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

HLQ028R2HTTR

HLQ028R2HTTR

частка акцыі: 160385

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 130mA,

L06031R2CGWTR

L06031R2CGWTR

частка акцыі: 182598

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

HLC026R8GTTR

HLC026R8GTTR

частка акцыі: 122894

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 343mA,

HLQ022R2BTTR

HLQ022R2BTTR

частка акцыі: 117377

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 245mA,

L06033R3DGWTR

L06033R3DGWTR

частка акцыі: 135633

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,