Фіксаваныя індуктыўнасці

HL023R6BTTR

HL023R6BTTR

частка акцыі: 132536

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 311mA,

HL022R0BTTR

HL022R0BTTR

частка акцыі: 153407

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 335mA,

L0402R82BHNTR

L0402R82BHNTR

частка акцыі: 116454

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.82nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

HL023R3BTTR

HL023R3BTTR

частка акцыі: 192141

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 321mA,

L04021R0BHNTR

L04021R0BHNTR

частка акцыі: 133208

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

HL021R6BTTR

HL021R6BTTR

частка акцыі: 139972

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 339mA,

L06031R8DGWTR

L06031R8DGWTR

частка акцыі: 133187

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

HL023R9BTTR

HL023R9BTTR

частка акцыі: 104758

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 314mA,

L04022R2BHNTR

L04022R2BHNTR

частка акцыі: 175803

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

HL022R2BTTR

HL022R2BTTR

частка акцыі: 137792

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 334mA,

HL022R4BTTR

HL022R4BTTR

частка акцыі: 113364

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 330mA,

L02012R7BHSTR\500

L02012R7BHSTR\500

частка акцыі: 161143

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 180mA,

L02012R2BHSTR\500

L02012R2BHSTR\500

частка акцыі: 146279

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

HLC02120HTTR

HLC02120HTTR

частка акцыі: 172193

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 265mA,

HLC02150HTTR

HLC02150HTTR

частка акцыі: 159282

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 240mA,

L02011R8BHSTR\500

L02011R8BHSTR\500

частка акцыі: 131004

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,

HLC02270HTTR

HLC02270HTTR

частка акцыі: 189534

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 27nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 184mA,

L02011R0AHSTR\500

L02011R0AHSTR\500

частка акцыі: 148625

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

HLC02100HTTR

HLC02100HTTR

частка акцыі: 178174

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 290mA,

L02011R2AHSTR\500

L02011R2AHSTR\500

частка акцыі: 172895

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

HLC02220HTTR

HLC02220HTTR

частка акцыі: 118278

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 202mA,

HLC02320HTTR

HLC02320HTTR

частка акцыі: 160958

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 32nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 175mA,

L0201R68AHSTR\500

L0201R68AHSTR\500

частка акцыі: 137228

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.68nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

L0201R82AHSTR\500

L0201R82AHSTR\500

частка акцыі: 197911

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.82nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

HLC02180HTTR

HLC02180HTTR

частка акцыі: 172303

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 210mA,

HLC021R1BTTR

HLC021R1BTTR

частка акцыі: 163032

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 782mA,

L0201R39AHSTR\500

L0201R39AHSTR\500

частка акцыі: 146238

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.39nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

HLC021R3BTTR

HLC021R3BTTR

частка акцыі: 131864

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 725mA,

L02013R3BHSTR\500

L02013R3BHSTR\500

частка акцыі: 101256

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 150mA,

HLC022R4BTTR

HLC022R4BTTR

частка акцыі: 185595

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 549mA,

L0201R47AHSTR\500

L0201R47AHSTR\500

частка акцыі: 188813

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.47nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

HLC023R9BTTR

HLC023R9BTTR

частка акцыі: 158515

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 441mA,

HLC021R0BTTR

HLC021R0BTTR

частка акцыі: 125973

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

L0201R56AHSTR\500

L0201R56AHSTR\500

частка акцыі: 135947

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.56nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

HLC023R0BTTR

HLC023R0BTTR

частка акцыі: 137811

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 497mA,

HLC021R6BTTR

HLC021R6BTTR

частка акцыі: 108469

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 660mA,