Супраціўленне: 19.6 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,
Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 40W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: 150ppm/°C,
Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 40W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,
Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 40W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: 150ppm/°C,
Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,
Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 30W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,
Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 20W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: 150ppm/°C,
Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: 150ppm/°C,
Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 20W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: 150ppm/°C,
Супраціўленне: 25 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: 150ppm/°C,
Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,
