Фіксаваныя індуктыўнасці

L06032R7DGWTR

L06032R7DGWTR

частка акцыі: 177380

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

HLQ021R8BTTR

HLQ021R8BTTR

частка акцыі: 148959

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

HLQ02120HTTR

HLQ02120HTTR

частка акцыі: 125759

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

L06031R8CGWTR

L06031R8CGWTR

частка акцыі: 158835

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

HLQ026R8HTTR

HLQ026R8HTTR

частка акцыі: 153292

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 160mA,

HLC025R6BTTR

HLC025R6BTTR

частка акцыі: 181687

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 375mA,

L06038R2DGWTR

L06038R2DGWTR

частка акцыі: 125247

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

HLQ02320HTTR

HLQ02320HTTR

частка акцыі: 136311

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 32nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 85mA,

HLQ022R0BTTR

HLQ022R0BTTR

частка акцыі: 185264

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 245mA,

HLQ02220HTTR

HLQ02220HTTR

частка акцыі: 135358

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 95mA,

HLQ024R7BTTR

HLQ024R7BTTR

частка акцыі: 120431

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 195mA,

L06031R5CGWTR

L06031R5CGWTR

частка акцыі: 111262

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

HLQ02150HTTR

HLQ02150HTTR

частка акцыі: 101297

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

HLQ023R0BTTR

HLQ023R0BTTR

частка акцыі: 168777

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 225mA,

HLQ023R9BTTR

HLQ023R9BTTR

частка акцыі: 191051

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

L06034R7DGWTR

L06034R7DGWTR

частка акцыі: 112156

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

HLQ02270HTTR

HLQ02270HTTR

частка акцыі: 172116

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 27nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 95mA,

HLQ021R5BTTR

HLQ021R5BTTR

частка акцыі: 150407

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 330mA,

HLQ021R2BTTR

HLQ021R2BTTR

частка акцыі: 181166

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 330mA,

L06036R8DGWTR

L06036R8DGWTR

частка акцыі: 159692

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

HLQ023R3BTTR

HLQ023R3BTTR

частка акцыі: 156338

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 225mA,

HLQ023R6BTTR

HLQ023R6BTTR

частка акцыі: 136428

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

HLQ02180HTTR

HLQ02180HTTR

частка акцыі: 190401

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

HLQ021R6BTTR

HLQ021R6BTTR

частка акцыі: 179031

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

L04021R2BHNTR

L04021R2BHNTR

частка акцыі: 198590

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

HL021R1BTTR

HL021R1BTTR

частка акцыі: 156108

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 345mA,

L04021R8BHNTR

L04021R8BHNTR

частка акцыі: 183954

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

HL021R3BTTR

HL021R3BTTR

частка акцыі: 171142

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 342mA,

L04021R5BHNTR

L04021R5BHNTR

частка акцыі: 160721

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

HL021R5BTTR

HL021R5BTTR

частка акцыі: 102688

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 340mA,

HL023R0BTTR

HL023R0BTTR

частка акцыі: 192213

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 324mA,

HL021R2BTTR

HL021R2BTTR

частка акцыі: 169130

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 343mA,

HL022R7BTTR

HL022R7BTTR

частка акцыі: 167936

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 327mA,

HL021R0BTTR

HL021R0BTTR

частка акцыі: 157693

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 346mA,

HL021R8BTTR

HL021R8BTTR

частка акцыі: 142513

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 337mA,

L06031R5DGWTR

L06031R5DGWTR

частка акцыі: 172542

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 1A,