Фіксаваныя індуктыўнасці

L08055R6CEWTR

L08055R6CEWTR

частка акцыі: 147730

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805100JEWTR\500

L0805100JEWTR\500

частка акцыі: 145360

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LMXN0605M330DTAS

LMXN0605M330DTAS

частка акцыі: 143067

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 880mA,

LMXN0605M470DTAS

LMXN0605M470DTAS

частка акцыі: 143095

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 720mA,

L08056R5CEWTR

L08056R5CEWTR

частка акцыі: 147719

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.5nH, Талерантнасць: ±0.2nH,

L08056R8DEWTR\500

L08056R8DEWTR\500

частка акцыі: 145383

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08058R2CEWTR

L08058R2CEWTR

частка акцыі: 147692

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08058R2DEWTR\500

L08058R2DEWTR\500

частка акцыі: 145351

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08054R7CEWTR

L08054R7CEWTR

частка акцыі: 147659

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08054R7DEWTR\500

L08054R7DEWTR\500

частка акцыі: 145311

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08053R3BEWTR\500

L08053R3BEWTR\500

частка акцыі: 145372

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805220GEWTR\O

L0805220GEWTR\O

частка акцыі: 157545

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

L0805120GEWTR\OR

L0805120GEWTR\OR

частка акцыі: 157547

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805120GEWTR

L0805120GEWTR

частка акцыі: 157482

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805150GEWTR

L0805150GEWTR

частка акцыі: 157526

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805180GEWTR

L0805180GEWTR

частка акцыі: 157504

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

L0805100GEWTR

L0805100GEWTR

частка акцыі: 157505

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805220GEWTR

L0805220GEWTR

частка акцыі: 157543

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

L08051R8BEWTR

L08051R8BEWTR

частка акцыі: 168748

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

L08051R2CEWTR

L08051R2CEWTR

частка акцыі: 162996

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

L08052R2BEWTR

L08052R2BEWTR

частка акцыі: 168791

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

L08053R9BEWTR

L08053R9BEWTR

частка акцыі: 168757

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08053R3BEWTR

L08053R3BEWTR

частка акцыі: 168765

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08055R6DEWTR\O

L08055R6DEWTR\O

частка акцыі: 190707

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805220JEWTR\3

L0805220JEWTR\3

частка акцыі: 172279

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

L08056R8DEWTR\O

L08056R8DEWTR\O

частка акцыі: 190775

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08054R7DEWTR

L08054R7DEWTR

частка акцыі: 190774

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805120JEWTR

L0805120JEWTR

частка акцыі: 190786

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08054R7DEWTR\3

L08054R7DEWTR\3

частка акцыі: 116991

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08056R8DEWTR

L08056R8DEWTR

частка акцыі: 190752

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805150JEWTR

L0805150JEWTR

частка акцыі: 190775

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08058R2DEWTR\O

L08058R2DEWTR\O

частка акцыі: 190796

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805150JEWTR\O

L0805150JEWTR\O

частка акцыі: 190738

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L0805220JEWTR

L0805220JEWTR

частка акцыі: 190727

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

L08054R7CESTR

L08054R7CESTR

частка акцыі: 185340

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

L08055R6DEWTR

L08055R6DEWTR

частка акцыі: 190762

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,