Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A52R3BAHF3

9T04021A52R3BAHF3

частка акцыі: 7947

Супраціўленне: 52.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A51R1BAHF3

9T04021A51R1BAHF3

частка акцыі: 7976

Супраціўленне: 51.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A48R7BAHF3

9T04021A48R7BAHF3

частка акцыі: 3814

Супраціўленне: 48.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A49R9BAHF3

9T04021A49R9BAHF3

частка акцыі: 7414

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A45R3BAHF3

9T04021A45R3BAHF3

частка акцыі: 7946

Супраціўленне: 45.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A46R4BAHF3

9T04021A46R4BAHF3

частка акцыі: 7915

Супраціўленне: 46.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A47R5BAHF3

9T04021A47R5BAHF3

частка акцыі: 7947

Супраціўленне: 47.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A47R0BAHF3

9T04021A47R0BAHF3

частка акцыі: 7983

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A43R2BAHF3

9T04021A43R2BAHF3

частка акцыі: 7961

Супраціўленне: 43.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A43R0BAHF3

9T04021A43R0BAHF3

частка акцыі: 3836

Супраціўленне: 43 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A41R2BAHF3

9T04021A41R2BAHF3

частка акцыі: 3808

Супраціўленне: 41.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A40R2BAHF3

9T04021A40R2BAHF3

частка акцыі: 7972

Супраціўленне: 40.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A39R2BAHF3

9T04021A39R2BAHF3

частка акцыі: 7904

Супраціўленне: 39.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A38R3BAHF3

9T04021A38R3BAHF3

частка акцыі: 7904

Супраціўленне: 38.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A36R0BAHF3

9T04021A36R0BAHF3

частка акцыі: 7957

Супраціўленне: 36 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A36R5BAHF3

9T04021A36R5BAHF3

частка акцыі: 7907

Супраціўленне: 36.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A34R0BAHF3

9T04021A34R0BAHF3

частка акцыі: 7971

Супраціўленне: 34 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A34R8BAHF3

9T04021A34R8BAHF3

частка акцыі: 7969

Супраціўленне: 34.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A33R2BAHF3

9T04021A33R2BAHF3

частка акцыі: 7935

Супраціўленне: 33.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A31R6BAHF3

9T04021A31R6BAHF3

частка акцыі: 7965

Супраціўленне: 31.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A33R0BAHF3

9T04021A33R0BAHF3

частка акцыі: 7949

Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R9BAHF3

9T04021A30R9BAHF3

частка акцыі: 7940

Супраціўленне: 30.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A32R4BAHF3

9T04021A32R4BAHF3

частка акцыі: 7952

Супраціўленне: 32.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A28R7BAHF3

9T04021A28R7BAHF3

частка акцыі: 7929

Супраціўленне: 28.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A29R4BAHF3

9T04021A29R4BAHF3

частка акцыі: 7899

Супраціўленне: 29.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R0BAHF3

9T04021A30R0BAHF3

частка акцыі: 7932

Супраціўленне: 30 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R1BAHF3

9T04021A30R1BAHF3

частка акцыі: 3880

Супраціўленне: 30.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A27R0BAHF3

9T04021A27R0BAHF3

частка акцыі: 7973

Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A26R7BAHF3

9T04021A26R7BAHF3

частка акцыі: 7896

Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A28R0BAHF3

9T04021A28R0BAHF3

частка акцыі: 7883

Супраціўленне: 28 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A27R4BAHF3

9T04021A27R4BAHF3

частка акцыі: 7897

Супраціўленне: 27.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R3BAHF3

9T04021A24R3BAHF3

частка акцыі: 7875

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A25R5BAHF3

9T04021A25R5BAHF3

частка акцыі: 7896

Супраціўленне: 25.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A26R1BAHF3

9T04021A26R1BAHF3

частка акцыі: 7914

Супраціўленне: 26.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R9BAHF3

9T04021A24R9BAHF3

частка акцыі: 7951

Супраціўленне: 24.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R6BAHF3

9T04021A22R6BAHF3

частка акцыі: 7927

Супраціўленне: 22.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,