Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A1651BAHF3

9T04021A1651BAHF3

частка акцыі: 8070

Супраціўленне: 1.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1601BAHF3

9T04021A1601BAHF3

частка акцыі: 8020

Супраціўленне: 1.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1501BAHF3

9T04021A1501BAHF3

частка акцыі: 8016

Супраціўленне: 1.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1541BAHF3

9T04021A1541BAHF3

частка акцыі: 8101

Супраціўленне: 1.54 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1581BAHF3

9T04021A1581BAHF3

частка акцыі: 8096

Супраціўленне: 1.58 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1401BAHF3

9T04021A1401BAHF3

частка акцыі: 8015

Супраціўленне: 1.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1371BAHF3

9T04021A1371BAHF3

частка акцыі: 8068

Супраціўленне: 1.37 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1431BAHF3

9T04021A1431BAHF3

частка акцыі: 8013

Супраціўленне: 1.43 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1241BAHF3

9T04021A1241BAHF3

частка акцыі: 8064

Супраціўленне: 1.24 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1271BAHF3

9T04021A1271BAHF3

частка акцыі: 8090

Супраціўленне: 1.27 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1331BAHF3

9T04021A1331BAHF3

частка акцыі: 8009

Супраціўленне: 1.33 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1211BAHF3

9T04021A1211BAHF3

частка акцыі: 8093

Супраціўленне: 1.21 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1131BAHF3

9T04021A1131BAHF3

частка акцыі: 8045

Супраціўленне: 1.13 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1071BAHF3

9T04021A1071BAHF3

частка акцыі: 8053

Супраціўленне: 1.07 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1101BAHF3

9T04021A1101BAHF3

частка акцыі: 8036

Супраціўленне: 1.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1051BAHF3

9T04021A1051BAHF3

частка акцыі: 8051

Супраціўленне: 1.05 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1021BAHF3

9T04021A1021BAHF3

частка акцыі: 8019

Супраціўленне: 1.02 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9530BAHF3

9T04021A9530BAHF3

частка акцыі: 8077

Супраціўленне: 953 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9760BAHF3

9T04021A9760BAHF3

частка акцыі: 8012

Супраціўленне: 976 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1001BAHF3

9T04021A1001BAHF3

частка акцыі: 8060

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8870BAHF3

9T04021A8870BAHF3

частка акцыі: 8018

Супраціўленне: 887 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9090BAHF3

9T04021A9090BAHF3

частка акцыі: 3808

Супраціўленне: 909 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9310BAHF3

9T04021A9310BAHF3

частка акцыі: 8042

Супраціўленне: 931 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9100BAHF3

9T04021A9100BAHF3

частка акцыі: 8051

Супраціўленне: 910 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8660BAHF3

9T04021A8660BAHF3

частка акцыі: 8051

Супраціўленне: 866 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8200BAHF3

9T04021A8200BAHF3

частка акцыі: 8004

Супраціўленне: 820 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8450BAHF3

9T04021A8450BAHF3

частка акцыі: 8012

Супраціўленне: 845 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8060BAHF3

9T04021A8060BAHF3

частка акцыі: 8028

Супраціўленне: 806 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7500BAHF3

9T04021A7500BAHF3

частка акцыі: 8084

Супраціўленне: 750 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7870BAHF3

9T04021A7870BAHF3

частка акцыі: 8010

Супраціўленне: 787 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7690BAHF3

9T04021A7690BAHF3

частка акцыі: 8009

Супраціўленне: 769 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6810BAHF3

9T04021A6810BAHF3

частка акцыі: 8063

Супраціўленне: 681 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7320BAHF3

9T04021A7320BAHF3

частка акцыі: 8009

Супраціўленне: 732 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7150BAHF3

9T04021A7150BAHF3

частка акцыі: 8000

Супраціўленне: 715 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6980BAHF3

9T04021A6980BAHF3

частка акцыі: 8038

Супраціўленне: 698 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6650BAHF3

9T04021A6650BAHF3

частка акцыі: 8035

Супраціўленне: 665 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,