Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A8201BAHF3

9T04021A8201BAHF3

частка акцыі: 8143

Супраціўленне: 8.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7691BAHF3

9T04021A7691BAHF3

частка акцыі: 8150

Супраціўленне: 7.69 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7321BAHF3

9T04021A7321BAHF3

частка акцыі: 8079

Супраціўленне: 7.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7151BAHF3

9T04021A7151BAHF3

частка акцыі: 8162

Супраціўленне: 7.15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7501BAHF3

9T04021A7501BAHF3

частка акцыі: 8148

Супраціўленне: 7.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6801BAHF3

9T04021A6801BAHF3

частка акцыі: 8125

Супраціўленне: 6.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6651BAHF3

9T04021A6651BAHF3

частка акцыі: 8106

Супраціўленне: 6.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6981BAHF3

9T04021A6981BAHF3

частка акцыі: 8162

Супраціўленне: 6.98 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6811BAHF3

9T04021A6811BAHF3

частка акцыі: 8123

Супраціўленне: 6.81 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6201BAHF3

9T04021A6201BAHF3

частка акцыі: 8071

Супраціўленне: 6.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6341BAHF3

9T04021A6341BAHF3

частка акцыі: 8123

Супраціўленне: 6.34 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6191BAHF3

9T04021A6191BAHF3

частка акцыі: 8090

Супраціўленне: 6.19 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5901BAHF3

9T04021A5901BAHF3

частка акцыі: 8079

Супраціўленне: 5.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A6041BAHF3

9T04021A6041BAHF3

частка акцыі: 8089

Супраціўленне: 6.04 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5761BAHF3

9T04021A5761BAHF3

частка акцыі: 8125

Супраціўленне: 5.76 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5621BAHF3

9T04021A5621BAHF3

частка акцыі: 3899

Супраціўленне: 5.62 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5361BAHF3

9T04021A5361BAHF3

частка акцыі: 8141

Супраціўленне: 5.36 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5491BAHF3

9T04021A5491BAHF3

частка акцыі: 3861

Супраціўленне: 5.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5231BAHF3

9T04021A5231BAHF3

частка акцыі: 8120

Супраціўленне: 5.23 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5601BAHF3

9T04021A5601BAHF3

частка акцыі: 8094

Супраціўленне: 5.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4871BAHF3

9T04021A4871BAHF3

частка акцыі: 8115

Супраціўленне: 4.87 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5101BAHF3

9T04021A5101BAHF3

частка акцыі: 3842

Супраціўленне: 5.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4991BAHF3

9T04021A4991BAHF3

частка акцыі: 8108

Супраціўленне: 4.99 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A5111BAHF3

9T04021A5111BAHF3

частка акцыі: 8135

Супраціўленне: 5.11 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4531BAHF3

9T04021A4531BAHF3

частка акцыі: 3833

Супраціўленне: 4.53 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4641BAHF3

9T04021A4641BAHF3

частка акцыі: 8066

Супраціўленне: 4.64 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4751BAHF3

9T04021A4751BAHF3

частка акцыі: 8069

Супраціўленне: 4.75 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4701BAHF3

9T04021A4701BAHF3

частка акцыі: 8130

Супраціўленне: 4.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4301BAHF3

9T04021A4301BAHF3

частка акцыі: 8086

Супраціўленне: 4.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4421BAHF3

9T04021A4421BAHF3

частка акцыі: 8106

Супраціўленне: 4.42 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4221BAHF3

9T04021A4221BAHF3

частка акцыі: 8136

Супраціўленне: 4.22 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A4121BAHF3

9T04021A4121BAHF3

частка акцыі: 8114

Супраціўленне: 4.12 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3901BAHF3

9T04021A3901BAHF3

частка акцыі: 8116

Супраціўленне: 3.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3921BAHF3

9T04021A3921BAHF3

частка акцыі: 8123

Супраціўленне: 3.92 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3741BAHF3

9T04021A3741BAHF3

частка акцыі: 8064

Супраціўленне: 3.74 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3831BAHF3

9T04021A3831BAHF3

частка акцыі: 8099

Супраціўленне: 3.83 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,