Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A3601BAHF3

9T04021A3601BAHF3

частка акцыі: 8141

Супраціўленне: 3.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3651BAHF3

9T04021A3651BAHF3

частка акцыі: 8081

Супраціўленне: 3.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3481BAHF3

9T04021A3481BAHF3

частка акцыі: 8062

Супраціўленне: 3.48 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3401BAHF3

9T04021A3401BAHF3

частка акцыі: 8046

Супраціўленне: 3.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3321BAHF3

9T04021A3321BAHF3

частка акцыі: 8114

Супраціўленне: 3.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3091BAHF3

9T04021A3091BAHF3

частка акцыі: 8093

Супраціўленне: 3.09 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3301BAHF3

9T04021A3301BAHF3

частка акцыі: 3821

Супраціўленне: 3.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3241BAHF3

9T04021A3241BAHF3

частка акцыі: 8053

Супраціўленне: 3.24 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3161BAHF3

9T04021A3161BAHF3

частка акцыі: 8079

Супраціўленне: 3.16 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2871BAHF3

9T04021A2871BAHF3

частка акцыі: 8051

Супраціўленне: 2.87 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3011BAHF3

9T04021A3011BAHF3

частка акцыі: 8107

Супраціўленне: 3.01 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A3001BAHF3

9T04021A3001BAHF3

частка акцыі: 8095

Супраціўленне: 3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2671BAHF3

9T04021A2671BAHF3

частка акцыі: 8101

Супраціўленне: 2.67 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2741BAHF3

9T04021A2741BAHF3

частка акцыі: 8062

Супраціўленне: 2.74 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2701BAHF3

9T04021A2701BAHF3

частка акцыі: 8089

Супраціўленне: 2.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2801BAHF3

9T04021A2801BAHF3

частка акцыі: 8056

Супраціўленне: 2.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2611BAHF3

9T04021A2611BAHF3

частка акцыі: 8064

Супраціўленне: 2.61 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2551BAHF3

9T04021A2551BAHF3

частка акцыі: 8117

Супраціўленне: 2.55 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2431BAHF3

9T04021A2431BAHF3

частка акцыі: 8121

Супраціўленне: 2.43 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2491BAHF3

9T04021A2491BAHF3

частка акцыі: 8038

Супраціўленне: 2.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2371BAHF3

9T04021A2371BAHF3

частка акцыі: 8032

Супраціўленне: 2.37 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2261BAHF3

9T04021A2261BAHF3

частка акцыі: 8065

Супраціўленне: 2.26 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2321BAHF3

9T04021A2321BAHF3

частка акцыі: 8062

Супраціўленне: 2.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2201BAHF3

9T04021A2201BAHF3

частка акцыі: 8066

Супраціўленне: 2.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2211BAHF3

9T04021A2211BAHF3

частка акцыі: 8104

Супраціўленне: 2.21 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2151BAHF3

9T04021A2151BAHF3

частка акцыі: 8081

Супраціўленне: 2.15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2051BAHF3

9T04021A2051BAHF3

частка акцыі: 8062

Супраціўленне: 2.05 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A2001BAHF3

9T04021A2001BAHF3

частка акцыі: 8106

Супраціўленне: 2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1961BAHF3

9T04021A1961BAHF3

частка акцыі: 8074

Супраціўленне: 1.96 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1911BAHF3

9T04021A1911BAHF3

частка акцыі: 8081

Супраціўленне: 1.91 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1871BAHF3

9T04021A1871BAHF3

частка акцыі: 8075

Супраціўленне: 1.87 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1781BAHF3

9T04021A1781BAHF3

частка акцыі: 8043

Супраціўленне: 1.78 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1821BAHF3

9T04021A1821BAHF3

частка акцыі: 8026

Супраціўленне: 1.82 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1801BAHF3

9T04021A1801BAHF3

частка акцыі: 8047

Супраціўленне: 1.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1741BAHF3

9T04021A1741BAHF3

частка акцыі: 8047

Супраціўленне: 1.74 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1691BAHF3

9T04021A1691BAHF3

частка акцыі: 8087

Супраціўленне: 1.69 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,