Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A18R0DBHF3

9T04021A18R0DBHF3

частка акцыі: 8220

Супраціўленне: 18 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A17R4DBHF3

9T04021A17R4DBHF3

частка акцыі: 8267

Супраціўленне: 17.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R9DBHF3

9T04021A16R9DBHF3

частка акцыі: 8196

Супраціўленне: 16.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R0DBHF3

9T04021A16R0DBHF3

частка акцыі: 8255

Супраціўленне: 16 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A15R8DBHF3

9T04021A15R8DBHF3

частка акцыі: 8233

Супраціўленне: 15.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R2DBHF3

9T04021A16R2DBHF3

частка акцыі: 8189

Супраціўленне: 16.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R5DBHF3

9T04021A16R5DBHF3

частка акцыі: 8274

Супраціўленне: 16.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A15R0DBHF3

9T04021A15R0DBHF3

частка акцыі: 8245

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A15R4DBHF3

9T04021A15R4DBHF3

частка акцыі: 8254

Супраціўленне: 15.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R7DBHF3

9T04021A14R7DBHF3

частка акцыі: 8196

Супраціўленне: 14.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R3DBHF3

9T04021A14R3DBHF3

частка акцыі: 8245

Супраціўленне: 14.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R0DBHF3

9T04021A14R0DBHF3

частка акцыі: 8268

Супраціўленне: 14 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A13R0DBHF3

9T04021A13R0DBHF3

частка акцыі: 8226

Супраціўленне: 13 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A13R3DBHF3

9T04021A13R3DBHF3

частка акцыі: 8214

Супраціўленне: 13.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R0DBHF3

9T04021A12R0DBHF3

частка акцыі: 8243

Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R4DBHF3

9T04021A12R4DBHF3

частка акцыі: 8257

Супраціўленне: 12.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R1DBHF3

9T04021A12R1DBHF3

частка акцыі: 8223

Супраціўленне: 12.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R7DBHF3

9T04021A12R7DBHF3

частка акцыі: 8263

Супраціўленне: 12.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R0DBHF3

9T04021A11R0DBHF3

частка акцыі: 8253

Супраціўленне: 11 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R8DBHF3

9T04021A11R8DBHF3

частка акцыі: 8203

Супраціўленне: 11.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R5DBHF3

9T04021A11R5DBHF3

частка акцыі: 8223

Супраціўленне: 11.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R3DBHF3

9T04021A11R3DBHF3

частка акцыі: 8236

Супраціўленне: 11.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A10R0DBHF3

9T04021A10R0DBHF3

частка акцыі: 8218

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

9T04021A10R5DBHF3

9T04021A10R5DBHF3

частка акцыі: 8182

Супраціўленне: 10.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A10R7DBHF3

9T04021A10R7DBHF3

частка акцыі: 3856

Супраціўленне: 10.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9762BAHF3

9T04021A9762BAHF3

частка акцыі: 8186

Супраціўленне: 97.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9532BAHF3

9T04021A9532BAHF3

частка акцыі: 8165

Супраціўленне: 95.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1003BAHF3

9T04021A1003BAHF3

частка акцыі: 8194

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9312BAHF3

9T04021A9312BAHF3

частка акцыі: 8165

Супраціўленне: 93.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A9102BAHF3

9T04021A9102BAHF3

частка акцыі: 8172

Супраціўленне: 91 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8872BAHF3

9T04021A8872BAHF3

частка акцыі: 8190

Супраціўленне: 88.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8662BAHF3

9T04021A8662BAHF3

частка акцыі: 8163

Супраціўленне: 86.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8062BAHF3

9T04021A8062BAHF3

частка акцыі: 8215

Супраціўленне: 80.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8452BAHF3

9T04021A8452BAHF3

частка акцыі: 8235

Супраціўленне: 84.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A8202BAHF3

9T04021A8202BAHF3

частка акцыі: 8185

Супраціўленне: 82 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A7322BAHF3

9T04021A7322BAHF3

частка акцыі: 8245

Супраціўленне: 73.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,