Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A88R7DBHF3

9T04021A88R7DBHF3

частка акцыі: 8254

Супраціўленне: 88.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A82R5DBHF3

9T04021A82R5DBHF3

частка акцыі: 8264

Супраціўленне: 82.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A84R5DBHF3

9T04021A84R5DBHF3

частка акцыі: 3924

Супраціўленне: 84.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A82R0DBHF3

9T04021A82R0DBHF3

частка акцыі: 8263

Супраціўленне: 82 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A86R6DBHF3

9T04021A86R6DBHF3

частка акцыі: 8290

Супраціўленне: 86.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A76R9DBHF3

9T04021A76R9DBHF3

частка акцыі: 8266

Супраціўленне: 76.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A75R0DBHF3

9T04021A75R0DBHF3

частка акцыі: 8287

Супраціўленне: 75 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A80R6DBHF3

9T04021A80R6DBHF3

частка акцыі: 8287

Супраціўленне: 80.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A78R7DBHF3

9T04021A78R7DBHF3

частка акцыі: 8279

Супраціўленне: 78.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A68R1DBHF3

9T04021A68R1DBHF3

частка акцыі: 8326

Супраціўленне: 68.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A71R5DBHF3

9T04021A71R5DBHF3

частка акцыі: 8318

Супраціўленне: 71.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A69R8DBHF3

9T04021A69R8DBHF3

частка акцыі: 8295

Супраціўленне: 69.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A73R2DBHF3

9T04021A73R2DBHF3

частка акцыі: 8328

Супраціўленне: 73.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A63R4DBHF3

9T04021A63R4DBHF3

частка акцыі: 8331

Супраціўленне: 63.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A64R9DBHF3

9T04021A64R9DBHF3

частка акцыі: 8292

Супраціўленне: 64.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A68R0DBHF3

9T04021A68R0DBHF3

частка акцыі: 8284

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A66R5DBHF3

9T04021A66R5DBHF3

частка акцыі: 8271

Супраціўленне: 66.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A59R0DBHF3

9T04021A59R0DBHF3

частка акцыі: 8326

Супраціўленне: 59 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A60R4DBHF3

9T04021A60R4DBHF3

частка акцыі: 8288

Супраціўленне: 60.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A62R0DBHF3

9T04021A62R0DBHF3

частка акцыі: 8316

Супраціўленне: 62 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A61R9DBHF3

9T04021A61R9DBHF3

частка акцыі: 3901

Супраціўленне: 61.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A57R6DBHF3

9T04021A57R6DBHF3

частка акцыі: 8264

Супраціўленне: 57.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A54R9DBHF3

9T04021A54R9DBHF3

частка акцыі: 3861

Супраціўленне: 54.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A56R2DBHF3

9T04021A56R2DBHF3

частка акцыі: 8243

Супраціўленне: 56.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A56R0DBHF3

9T04021A56R0DBHF3

частка акцыі: 8271

Супраціўленне: 56 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A51R0DBHF3

9T04021A51R0DBHF3

частка акцыі: 8254

Супраціўленне: 51 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A53R6DBHF3

9T04021A53R6DBHF3

частка акцыі: 3889

Супраціўленне: 53.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A52R3DBHF3

9T04021A52R3DBHF3

частка акцыі: 8239

Супраціўленне: 52.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A51R1DBHF3

9T04021A51R1DBHF3

частка акцыі: 3910

Супраціўленне: 51.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A49R9DBHF3

9T04021A49R9DBHF3

частка акцыі: 8296

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A47R5DBHF3

9T04021A47R5DBHF3

частка акцыі: 8260

Супраціўленне: 47.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A47R0DBHF3

9T04021A47R0DBHF3

частка акцыі: 8323

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A43R2DBHF3

9T04021A43R2DBHF3

частка акцыі: 8249

Супраціўленне: 43.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A44R2DBHF3

9T04021A44R2DBHF3

частка акцыі: 8225

Супраціўленне: 44.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A46R4DBHF3

9T04021A46R4DBHF3

частка акцыі: 8312

Супраціўленне: 46.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A45R3DBHF3

9T04021A45R3DBHF3

частка акцыі: 8271

Супраціўленне: 45.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,