Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A42R2DBHF3

9T04021A42R2DBHF3

частка акцыі: 8303

Супраціўленне: 42.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A43R0DBHF3

9T04021A43R0DBHF3

частка акцыі: 8236

Супраціўленне: 43 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A41R2DBHF3

9T04021A41R2DBHF3

частка акцыі: 8229

Супраціўленне: 41.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A40R2DBHF3

9T04021A40R2DBHF3

частка акцыі: 8271

Супраціўленне: 40.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A37R4DBHF3

9T04021A37R4DBHF3

частка акцыі: 8292

Супраціўленне: 37.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A39R0DBHF3

9T04021A39R0DBHF3

частка акцыі: 8286

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A39R2DBHF3

9T04021A39R2DBHF3

частка акцыі: 8245

Супраціўленне: 39.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A36R5DBHF3

9T04021A36R5DBHF3

частка акцыі: 8242

Супраціўленне: 36.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A35R7DBHF3

9T04021A35R7DBHF3

частка акцыі: 8301

Супраціўленне: 35.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A34R0DBHF3

9T04021A34R0DBHF3

частка акцыі: 8258

Супраціўленне: 34 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A33R2DBHF3

9T04021A33R2DBHF3

частка акцыі: 8303

Супраціўленне: 33.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A32R4DBHF3

9T04021A32R4DBHF3

частка акцыі: 8255

Супраціўленне: 32.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A33R0DBHF3

9T04021A33R0DBHF3

частка акцыі: 8230

Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R9DBHF3

9T04021A30R9DBHF3

частка акцыі: 8302

Супраціўленне: 30.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A31R6DBHF3

9T04021A31R6DBHF3

частка акцыі: 8302

Супраціўленне: 31.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R1DBHF3

9T04021A30R1DBHF3

частка акцыі: 8293

Супраціўленне: 30.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R0DBHF3

9T04021A30R0DBHF3

частка акцыі: 8219

Супраціўленне: 30 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A29R4DBHF3

9T04021A29R4DBHF3

частка акцыі: 8255

Супраціўленне: 29.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A28R7DBHF3

9T04021A28R7DBHF3

частка акцыі: 8220

Супраціўленне: 28.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A28R0DBHF3

9T04021A28R0DBHF3

частка акцыі: 8233

Супраціўленне: 28 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A26R1DBHF3

9T04021A26R1DBHF3

частка акцыі: 7406

Супраціўленне: 26.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A27R0DBHF3

9T04021A27R0DBHF3

частка акцыі: 8254

Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A26R7DBHF3

9T04021A26R7DBHF3

частка акцыі: 8286

Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A25R5DBHF3

9T04021A25R5DBHF3

частка акцыі: 8293

Супраціўленне: 25.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R3DBHF3

9T04021A24R3DBHF3

частка акцыі: 8247

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R9DBHF3

9T04021A24R9DBHF3

частка акцыі: 8257

Супраціўленне: 24.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A23R7DBHF3

9T04021A23R7DBHF3

частка акцыі: 8222

Супраціўленне: 23.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R0DBHF3

9T04021A24R0DBHF3

частка акцыі: 8282

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R0DBHF3

9T04021A22R0DBHF3

частка акцыі: 8201

Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A23R2DBHF3

9T04021A23R2DBHF3

частка акцыі: 8272

Супраціўленне: 23.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R6DBHF3

9T04021A22R6DBHF3

частка акцыі: 3899

Супраціўленне: 22.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A20R0DBHF3

9T04021A20R0DBHF3

частка акцыі: 8291

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A20R5DBHF3

9T04021A20R5DBHF3

частка акцыі: 8286

Супраціўленне: 20.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A21R0DBHF3

9T04021A21R0DBHF3

частка акцыі: 8269

Супраціўленне: 21 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A18R2DBHF3

9T04021A18R2DBHF3

частка акцыі: 8282

Супраціўленне: 18.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A17R8DBHF3

9T04021A17R8DBHF3

частка акцыі: 8201

Супраціўленне: 17.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,