Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A1210BAHF3

9T04021A1210BAHF3

частка акцыі: 8020

Супраціўленне: 121 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1180BAHF3

9T04021A1180BAHF3

частка акцыі: 3836

Супраціўленне: 118 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1150BAHF3

9T04021A1150BAHF3

частка акцыі: 7982

Супраціўленне: 115 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1130BAHF3

9T04021A1130BAHF3

частка акцыі: 7927

Супраціўленне: 113 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1100BAHF3

9T04021A1100BAHF3

частка акцыі: 7945

Супраціўленне: 110 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1070BAHF3

9T04021A1070BAHF3

частка акцыі: 7925

Супраціўленне: 107 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1050BAHF3

9T04021A1050BAHF3

частка акцыі: 7936

Супраціўленне: 105 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1000BAHF3

9T04021A1000BAHF3

частка акцыі: 7989

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A93R1BAHF3

9T04021A93R1BAHF3

частка акцыі: 7982

Супраціўленне: 93.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A91R0BAHF3

9T04021A91R0BAHF3

частка акцыі: 8012

Супраціўленне: 91 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A97R6BAHF3

9T04021A97R6BAHF3

частка акцыі: 7978

Супраціўленне: 97.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A88R7BAHF3

9T04021A88R7BAHF3

частка акцыі: 7956

Супраціўленне: 88.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A90R9BAHF3

9T04021A90R9BAHF3

частка акцыі: 7921

Супраціўленне: 90.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A86R6BAHF3

9T04021A86R6BAHF3

частка акцыі: 7927

Супраціўленне: 86.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A82R0BAHF3

9T04021A82R0BAHF3

частка акцыі: 7958

Супраціўленне: 82 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A82R5BAHF3

9T04021A82R5BAHF3

частка акцыі: 7973

Супраціўленне: 82.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A78R7BAHF3

9T04021A78R7BAHF3

частка акцыі: 7923

Супраціўленне: 78.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A75R0BAHF3

9T04021A75R0BAHF3

частка акцыі: 8000

Супраціўленне: 75 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A76R9BAHF3

9T04021A76R9BAHF3

частка акцыі: 7952

Супраціўленне: 76.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A71R5BAHF3

9T04021A71R5BAHF3

частка акцыі: 7929

Супраціўленне: 71.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A73R2BAHF3

9T04021A73R2BAHF3

частка акцыі: 7915

Супраціўленне: 73.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A68R1BAHF3

9T04021A68R1BAHF3

частка акцыі: 8006

Супраціўленне: 68.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A68R0BAHF3

9T04021A68R0BAHF3

частка акцыі: 7982

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A66R5BAHF3

9T04021A66R5BAHF3

частка акцыі: 3819

Супраціўленне: 66.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A69R8BAHF3

9T04021A69R8BAHF3

частка акцыі: 7937

Супраціўленне: 69.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A61R9BAHF3

9T04021A61R9BAHF3

частка акцыі: 7974

Супраціўленне: 61.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A63R4BAHF3

9T04021A63R4BAHF3

частка акцыі: 7947

Супраціўленне: 63.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A64R9BAHF3

9T04021A64R9BAHF3

частка акцыі: 7970

Супраціўленне: 64.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A62R0BAHF3

9T04021A62R0BAHF3

частка акцыі: 7945

Супраціўленне: 62 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A59R0BAHF3

9T04021A59R0BAHF3

частка акцыі: 7999

Супраціўленне: 59 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A60R4BAHF3

9T04021A60R4BAHF3

частка акцыі: 7965

Супраціўленне: 60.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A57R6BAHF3

9T04021A57R6BAHF3

частка акцыі: 7907

Супраціўленне: 57.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A56R2BAHF3

9T04021A56R2BAHF3

частка акцыі: 8002

Супраціўленне: 56.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A53R6BAHF3

9T04021A53R6BAHF3

частка акцыі: 7946

Супраціўленне: 53.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A54R9BAHF3

9T04021A54R9BAHF3

частка акцыі: 3815

Супраціўленне: 54.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A56R0BAHF3

9T04021A56R0BAHF3

частка акцыі: 7937

Супраціўленне: 56 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,