Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A23R7BAHF3

9T04021A23R7BAHF3

частка акцыі: 7876

Супраціўленне: 23.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R0BAHF3

9T04021A24R0BAHF3

частка акцыі: 7968

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A23R2BAHF3

9T04021A23R2BAHF3

частка акцыі: 7925

Супраціўленне: 23.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R1BAHF3

9T04021A22R1BAHF3

частка акцыі: 7886

Супраціўленне: 22.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A21R5BAHF3

9T04021A21R5BAHF3

частка акцыі: 7906

Супраціўленне: 21.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A21R0BAHF3

9T04021A21R0BAHF3

частка акцыі: 7952

Супраціўленне: 21 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R0BAHF3

9T04021A22R0BAHF3

частка акцыі: 7905

Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A19R6BAHF3

9T04021A19R6BAHF3

частка акцыі: 7902

Супраціўленне: 19.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A20R0BAHF3

9T04021A20R0BAHF3

частка акцыі: 7905

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A20R5BAHF3

9T04021A20R5BAHF3

частка акцыі: 7955

Супраціўленне: 20.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A19R1BAHF3

9T04021A19R1BAHF3

частка акцыі: 7956

Супраціўленне: 19.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A18R7BAHF3

9T04021A18R7BAHF3

частка акцыі: 7394

Супраціўленне: 18.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A18R0BAHF3

9T04021A18R0BAHF3

частка акцыі: 3874

Супраціўленне: 18 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R5BAHF3

9T04021A16R5BAHF3

частка акцыі: 7929

Супраціўленне: 16.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R9BAHF3

9T04021A16R9BAHF3

частка акцыі: 7866

Супраціўленне: 16.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A17R4BAHF3

9T04021A17R4BAHF3

частка акцыі: 3882

Супраціўленне: 17.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A15R4BAHF3

9T04021A15R4BAHF3

частка акцыі: 7920

Супраціўленне: 15.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R7BAHF3

9T04021A14R7BAHF3

частка акцыі: 7933

Супраціўленне: 14.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R0BAHF3

9T04021A14R0BAHF3

частка акцыі: 7928

Супраціўленне: 14 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R3BAHF3

9T04021A14R3BAHF3

частка акцыі: 7948

Супраціўленне: 14.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A15R0BAHF3

9T04021A15R0BAHF3

частка акцыі: 7911

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A13R7BAHF3

9T04021A13R7BAHF3

частка акцыі: 3827

Супраціўленне: 13.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A13R3BAHF3

9T04021A13R3BAHF3

частка акцыі: 7889

Супраціўленне: 13.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A13R0BAHF3

9T04021A13R0BAHF3

частка акцыі: 7906

Супраціўленне: 13 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R7BAHF3

9T04021A12R7BAHF3

частка акцыі: 7913

Супраціўленне: 12.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R8BAHF3

9T04021A11R8BAHF3

частка акцыі: 7931

Супраціўленне: 11.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R0BAHF3

9T04021A12R0BAHF3

частка акцыі: 7867

Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R1BAHF3

9T04021A12R1BAHF3

частка акцыі: 7870

Супраціўленне: 12.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R4BAHF3

9T04021A12R4BAHF3

частка акцыі: 7878

Супраціўленне: 12.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R3BAHF3

9T04021A11R3BAHF3

частка акцыі: 7856

Супраціўленне: 11.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R5BAHF3

9T04021A11R5BAHF3

частка акцыі: 7939

Супраціўленне: 11.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R0BAHF3

9T04021A11R0BAHF3

частка акцыі: 7848

Супраціўленне: 11 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A10R7BAHF3

9T04021A10R7BAHF3

частка акцыі: 7904

Супраціўленне: 10.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A1003CAHF3

9T04021A1003CAHF3

частка акцыі: 7909

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A10R2BAHF3

9T04021A10R2BAHF3

частка акцыі: 7895

Супраціўленне: 10.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A10R0BAHF3

9T04021A10R0BAHF3

частка акцыі: 7872

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,