Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

HVCB1206FTD1M00

HVCB1206FTD1M00

частка акцыі: 43980

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB0805FTC15M0

HVCB0805FTC15M0

частка акцыі: 43934

Супраціўленне: 15 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2010KTL300M

HVCB2010KTL300M

частка акцыі: 42129

Супраціўленне: 300 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2010FDD10M0

HVCB2010FDD10M0

частка акцыі: 43758

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FTD1M62

HVCB1206FTD1M62

частка акцыі: 43946

Супраціўленне: 1.62 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FTD402K

HVCB1206FTD402K

частка акцыі: 43962

Супраціўленне: 402 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKL12M7

HVCB1206FKL12M7

частка акцыі: 42168

Супраціўленне: 12.7 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB1206FTD510K

HVCB1206FTD510K

частка акцыі: 44007

Супраціўленне: 510 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKL40K2

HVCB1206FKL40K2

частка акцыі: 42107

Супраціўленне: 40.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0805FKD12M0

HVCB0805FKD12M0

частка акцыі: 42451

Супраціўленне: 12 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FTD200K

HVCB1206FTD200K

частка акцыі: 43998

Супраціўленне: 200 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206JDD500M

HVCB1206JDD500M

частка акцыі: 41758

Супраціўленне: 500 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKD3K32

HVCB1206FKD3K32

частка акцыі: 46415

Супраціўленне: 3.32 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206JTD1G00

HVCB1206JTD1G00

частка акцыі: 46000

Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2010JTD500K

HVCB2010JTD500K

частка акцыі: 45979

Супраціўленне: 500 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2010JKL390K

HVCB2010JKL390K

частка акцыі: 46010

Супраціўленне: 390 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0805FTD100M

HVCB0805FTD100M

частка акцыі: 45091

Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB0805JDD150M

HVCB0805JDD150M

частка акцыі: 45926

Супраціўленне: 150 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2512FKC20M0

HVCB2512FKC20M0

частка акцыі: 45931

Супраціўленне: 20 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2512FKC1M00

HVCB2512FKC1M00

частка акцыі: 45928

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2512FKC499K

HVCB2512FKC499K

частка акцыі: 45979

Супраціўленне: 499 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2010JKL500K

HVCB2010JKL500K

частка акцыі: 45914

Супраціўленне: 500 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2010JKL15M0

HVCB2010JKL15M0

частка акцыі: 45946

Супраціўленне: 15 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2010JKL150K

HVCB2010JKL150K

частка акцыі: 45975

Супраціўленне: 150 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2010KTD4M70

HVCB2010KTD4M70

частка акцыі: 45974

Супраціўленне: 4.7 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB0805FKL10M0

HVCB0805FKL10M0

частка акцыі: 46772

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2512FKC100K

HVCB2512FKC100K

частка акцыі: 45999

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2010JKL10M0

HVCB2010JKL10M0

частка акцыі: 45922

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2512FKC10M0

HVCB2512FKC10M0

частка акцыі: 45997

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RNCF2010TKY49K9

RNCF2010TKY49K9

частка акцыі: 58934

Супраціўленне: 49.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF2010TTY10K0

RNCF2010TTY10K0

частка акцыі: 70696

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

CSS4527FT5L00

CSS4527FT5L00

частка акцыі: 54281

Супраціўленне: 5 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

CSS4527FT20L0

CSS4527FT20L0

частка акцыі: 54313

Супраціўленне: 20 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RNCF2010TTY120R

RNCF2010TTY120R

частка акцыі: 70648

Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

HVCB2010FKC10M0

HVCB2010FKC10M0

частка акцыі: 48136

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

CSS4527FT50L0

CSS4527FT50L0

частка акцыі: 54323

Супраціўленне: 50 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,