Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

HVCB1206KDL470K

HVCB1206KDL470K

частка акцыі: 52267

Супраціўленне: 470 kOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB1206JTD120M

HVCB1206JTD120M

частка акцыі: 53210

Супраціўленне: 120 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB0805JKL400M

HVCB0805JKL400M

частка акцыі: 51601

Супраціўленне: 400 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

RNCF1206BKY10K0

RNCF1206BKY10K0

частка акцыі: 170382

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF1206BKY5K00

RNCF1206BKY5K00

частка акцыі: 161345

Супраціўленне: 5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF1206BKY5K11

RNCF1206BKY5K11

частка акцыі: 151373

Супраціўленне: 5.11 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF1206BKY2K00

RNCF1206BKY2K00

частка акцыі: 133698

Супраціўленне: 2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

HVCB1206JTC1M00

HVCB1206JTC1M00

частка акцыі: 53234

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB1206JKD1M00

HVCB1206JKD1M00

частка акцыі: 53216

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKL1K00

HVCB1206FKL1K00

частка акцыі: 51089

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0603JKL100K

HVCB0603JKL100K

частка акцыі: 54331

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0805JKD330K

HVCB0805JKD330K

частка акцыі: 57477

Супраціўленне: 330 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB0805JKD510K

HVCB0805JKD510K

частка акцыі: 57487

Супраціўленне: 510 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKC100K

HVCB1206FKC100K

частка акцыі: 56130

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HCSM2818FT10L0

HCSM2818FT10L0

частка акцыі: 11617

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±75ppm/°C,

RNCF1210TTY100R

RNCF1210TTY100R

частка акцыі: 67065

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

HVCB1206FKC1M00

HVCB1206FKC1M00

частка акцыі: 56187

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB0805JTL1G00

HVCB0805JTL1G00

частка акцыі: 58097

Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB1206FKC10M0

HVCB1206FKC10M0

частка акцыі: 56140

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB0805KTL100M

HVCB0805KTL100M

частка акцыі: 58060

Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

RNCF1210TTY200R

RNCF1210TTY200R

частка акцыі: 67078

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

HVCB2010JTL10M0

HVCB2010JTL10M0

частка акцыі: 56185

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

CSS4527JT8L00

CSS4527JT8L00

частка акцыі: 59208

Супраціўленне: 8 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2010KTL560K

HVCB2010KTL560K

частка акцыі: 56191

Супраціўленне: 560 kOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2010KTL10M0

HVCB2010KTL10M0

частка акцыі: 56145

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB1206FKC10K0

HVCB1206FKC10K0

частка акцыі: 56113

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB1206FKC2M00

HVCB1206FKC2M00

частка акцыі: 56161

Супраціўленне: 2 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB1206KDM470K

HVCB1206KDM470K

частка акцыі: 59210

Супраціўленне: 470 kOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

HVCB1206JTL300M

HVCB1206JTL300M

частка акцыі: 59495

Супраціўленне: 300 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HMC0805MT1G20

HMC0805MT1G20

частка акцыі: 59504

Супраціўленне: 1.2 GOhms, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1500ppm/°C,

HVCB1206KKL2M20

HVCB1206KKL2M20

частка акцыі: 59480

Супраціўленне: 2.2 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HMC1206MT1G20

HMC1206MT1G20

частка акцыі: 59479

Супраціўленне: 1.2 GOhms, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1500ppm/°C,

HVCB0805JKL100M

HVCB0805JKL100M

частка акцыі: 60128

Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HMC0805MT2G00

HMC0805MT2G00

частка акцыі: 59502

Супраціўленне: 2 GOhms, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1500ppm/°C,

HVCB0805JTD200M

HVCB0805JTD200M

частка акцыі: 60218

Супраціўленне: 200 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206KKL820K

HVCB1206KKL820K

частка акцыі: 59444

Супраціўленне: 820 kOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,