Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

HVCB1206DTD1M62

HVCB1206DTD1M62

частка акцыі: 36116

Супраціўленне: 1.62 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FDD100K

HVCB1206FDD100K

частка акцыі: 36812

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2010FKL301K

HVCB2010FKL301K

частка акцыі: 33740

Супраціўленне: 301 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0805FDC15M0

HVCB0805FDC15M0

частка акцыі: 35402

Супраціўленне: 15 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2512JTD5M00

HVCB2512JTD5M00

частка акцыі: 33730

Супраціўленне: 5 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2512JTL40M0

HVCB2512JTL40M0

частка акцыі: 34874

Супраціўленне: 40 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0603FTC100K

HVCB0603FTC100K

частка акцыі: 37447

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2512KKD10M0

HVCB2512KKD10M0

частка акцыі: 36073

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB0805FKC100K

HVCB0805FKC100K

частка акцыі: 35658

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2512JTD1M00

HVCB2512JTD1M00

частка акцыі: 33738

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2512JKD50K0

HVCB2512JKD50K0

частка акцыі: 33670

Супраціўленне: 50 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2010FTD2M21

HVCB2010FTD2M21

частка акцыі: 33684

Супраціўленне: 2.21 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB0805FDD50M0

HVCB0805FDD50M0

частка акцыі: 36770

Супраціўленне: 50 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2512JKL40M0

HVCB2512JKL40M0

частка акцыі: 34831

Супраціўленне: 40 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0603FKD20M0

HVCB0603FKD20M0

частка акцыі: 36136

Супраціўленне: 20 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206DKL10M0

HVCB1206DKL10M0

частка акцыі: 34882

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0805JDE22M0

HVCB0805JDE22M0

частка акцыі: 38332

Супраціўленне: 22 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

HVCB2010FTL2M21

HVCB2010FTL2M21

частка акцыі: 38851

Супраціўленне: 2.21 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2512MDD100K

HVCB2512MDD100K

частка акцыі: 38318

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKD100K

HVCB1206FKD100K

частка акцыі: 38933

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKD20M0

HVCB1206FKD20M0

частка акцыі: 38939

Супраціўленне: 20 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKD50K0

HVCB1206FKD50K0

частка акцыі: 38887

Супраціўленне: 50 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2010JKL250M

HVCB2010JKL250M

частка акцыі: 38904

Супраціўленне: 250 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2010FKL1K82

HVCB2010FKL1K82

частка акцыі: 38638

Супраціўленне: 1.82 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB1206FKD12M7

HVCB1206FKD12M7

частка акцыі: 38942

Супраціўленне: 12.7 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKD22M1

HVCB1206FKD22M1

частка акцыі: 38877

Супраціўленне: 22.1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FKD270K

HVCB1206FKD270K

частка акцыі: 38910

Супраціўленне: 270 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FTC1M50

HVCB1206FTC1M50

частка акцыі: 37507

Супраціўленне: 1.5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB1206FTC1M00

HVCB1206FTC1M00

частка акцыі: 37430

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2010FTL249K

HVCB2010FTL249K

частка акцыі: 38898

Супраціўленне: 249 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2512JKL10M0

HVCB2512JKL10M0

частка акцыі: 37484

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB1206FKD10M0

HVCB1206FKD10M0

частка акцыі: 38894

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206FTC10M0

HVCB1206FTC10M0

частка акцыі: 37498

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB0603FKL100K

HVCB0603FKL100K

частка акцыі: 40411

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB2512KKL100M

HVCB2512KKL100M

частка акцыі: 37438

Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB1206FTC100K

HVCB1206FTC100K

частка акцыі: 37500

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,