Супраціўленне: 1.62 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 301 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 15 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 5 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 40 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 50 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 2.21 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 50 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 20 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 22 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 2.21 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 20 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 50 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 250 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 1.82 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 12.7 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 22.1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 270 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1.5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 249 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
