Супраціўленне: 150 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 40.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 499 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 40.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 150 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 2 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 50 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 3 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 3.3 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 6.8 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 560 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 60 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 2 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 4 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 5 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 430 MOhms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 220 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 301 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 240 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 249 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 500 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 250 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 400 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
