Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

HPC12JB33R0

HPC12JB33R0

частка акцыі: 1726

Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Non-Inductive, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

SM4527FTR100

SM4527FTR100

частка акцыі: 7225

Супраціўленне: 100 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527JTR180

SM4527JTR180

частка акцыі: 7322

Супраціўленне: 180 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527JTR120

SM4527JTR120

частка акцыі: 7258

Супраціўленне: 120 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HPC12JBR500

HPC12JBR500

частка акцыі: 1737

Супраціўленне: 500 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Non-Inductive, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

HPC12JB100R

HPC12JB100R

частка акцыі: 2727

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Non-Inductive, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

RNCS0805DTC1R00

RNCS0805DTC1R00

частка акцыі: 7284

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

RNCS0402DTC10R0

RNCS0402DTC10R0

частка акцыі: 7289

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HPC12JBR100

HPC12JBR100

частка акцыі: 1732

Супраціўленне: 100 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Non-Inductive, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

SM4527JTR820

SM4527JTR820

частка акцыі: 7349

Супраціўленне: 820 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527FTR909

SM4527FTR909

частка акцыі: 7278

Супраціўленне: 909 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HPC12JT47R0

HPC12JT47R0

частка акцыі: 7283

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Non-Inductive, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

SM4527FTR976

SM4527FTR976

частка акцыі: 7295

Супраціўленне: 976 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527JTR110

SM4527JTR110

частка акцыі: 7317

Супраціўленне: 110 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HPC12JT50R0

HPC12JT50R0

частка акцыі: 7082

Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Non-Inductive, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

SM4527FTR845

SM4527FTR845

частка акцыі: 7311

Супраціўленне: 845 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527JTR510

SM4527JTR510

частка акцыі: 7032

Супраціўленне: 510 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527FTR649

SM4527FTR649

частка акцыі: 7280

Супраціўленне: 649 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CSRF2010JK7L00

CSRF2010JK7L00

частка акцыі: 7053

Супраціўленне: 7 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RNCS2010CTC4R70

RNCS2010CTC4R70

частка акцыі: 7094

Супраціўленне: 4.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

SM4527FTR750

SM4527FTR750

частка акцыі: 1797

Супраціўленне: 750 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HPC12JTR500

HPC12JTR500

частка акцыі: 7239

Супраціўленне: 500 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Non-Inductive, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

SM4527FTR665

SM4527FTR665

частка акцыі: 7230

Супраціўленне: 665 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527FTR732

SM4527FTR732

частка акцыі: 7218

Супраціўленне: 732 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RNCF0603FKE34K0

RNCF0603FKE34K0

частка акцыі: 7333

Супраціўленне: 34 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

CSRF2010FK5L00

CSRF2010FK5L00

частка акцыі: 7102

Супраціўленне: 5 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527JTR300

SM4527JTR300

частка акцыі: 7341

Супраціўленне: 300 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2512BDE10M0

HVCB2512BDE10M0

частка акцыі: 8474

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

HPC12JB50L0

HPC12JB50L0

частка акцыі: 7130

Супраціўленне: 50 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Non-Inductive, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

CSRF2512FK10L0

CSRF2512FK10L0

частка акцыі: 7034

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM4527FTR619

SM4527FTR619

частка акцыі: 7065

Супраціўленне: 619 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2512FDD2G00

HVCB2512FDD2G00

частка акцыі: 8597

Супраціўленне: 2 GOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2512MDM500G

HVCB2512MDM500G

частка акцыі: 8900

Супраціўленне: 500 GOhms, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

RNCP0805FTD61K9

RNCP0805FTD61K9

частка акцыі: 161994

Супраціўленне: 61.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB2512BDC1M00

HVCB2512BDC1M00

частка акцыі: 9199

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HVCB2512BDC125K

HVCB2512BDC125K

частка акцыі: 9621

Супраціўленне: 125 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,