Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 500 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 220 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 200 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 240 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 4.7 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 270 kOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 270 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 220 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 330 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 150 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 500 µOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 70 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1.5 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 220 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 576 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 2.2 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 49.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 301 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 576 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 511 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 20 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
