Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

HVCB1206KKL10M0

HVCB1206KKL10M0

частка акцыі: 59447

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

HVCB0805JTD300M

HVCB0805JTD300M

частка акцыі: 60145

Супраціўленне: 300 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206JTL500M

HVCB1206JTL500M

частка акцыі: 59466

Супраціўленне: 500 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

RNCF1210BTY100R

RNCF1210BTY100R

частка акцыі: 62396

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

SM6227BT250R

SM6227BT250R

частка акцыі: 64866

Супраціўленне: 250 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

SM6227BT120R

SM6227BT120R

частка акцыі: 64823

Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

HVCB1206JTD5K00

HVCB1206JTD5K00

частка акцыі: 63149

Супраціўленне: 5 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM6227BT249R

SM6227BT249R

частка акцыі: 64875

Супраціўленне: 249 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

SM6227BT470R

SM6227BT470R

частка акцыі: 64833

Супраціўленне: 470 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

HVCB1206JTD5M10

HVCB1206JTD5M10

частка акцыі: 63194

Супраціўленне: 5.1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206JTD100K

HVCB1206JTD100K

частка акцыі: 63176

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206JTD1M00

HVCB1206JTD1M00

частка акцыі: 63210

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206JTD220K

HVCB1206JTD220K

частка акцыі: 63185

Супраціўленне: 220 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206JTD10M0

HVCB1206JTD10M0

частка акцыі: 63129

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVCB1206JTD510K

HVCB1206JTD510K

частка акцыі: 63200

Супраціўленне: 510 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.333W, 1/3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SM6227BT200R

SM6227BT200R

частка акцыі: 64877

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RNCF1206BTY49K9

RNCF1206BTY49K9

частка акцыі: 66652

Супраціўленне: 49.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF1206BTY499R

RNCF1206BTY499R

частка акцыі: 66719

Супраціўленне: 499 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF1206BTY4K99

RNCF1206BTY4K99

частка акцыі: 66636

Супраціўленне: 4.99 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

SM6227BT1R00

SM6227BT1R00

частка акцыі: 69522

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HMC1206KT4G70

HMC1206KT4G70

частка акцыі: 67431

Супраціўленне: 4.7 GOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1500ppm/°C,

HMC1206KT1G00

HMC1206KT1G00

частка акцыі: 67373

Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1000ppm/°C,

HGCB0603FTC47M0

HGCB0603FTC47M0

частка акцыі: 154

Супраціўленне: 47 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HMC0805KT1G20

HMC0805KT1G20

частка акцыі: 67371

Супраціўленне: 1.2 GOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1500ppm/°C,

SM6227BT12R0

SM6227BT12R0

частка акцыі: 69550

Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

HGCB0603FTC180M

HGCB0603FTC180M

частка акцыі: 16566

Супраціўленне: 180 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.06W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

HMC1206KT10G0

HMC1206KT10G0

частка акцыі: 67388

Супраціўленне: 10 GOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1500ppm/°C,

RNCF2512TKY1K00

RNCF2512TKY1K00

частка акцыі: 58958

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF2512TTY10K0

RNCF2512TTY10K0

частка акцыі: 70710

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF2512TKY250R

RNCF2512TKY250R

частка акцыі: 58946

Супраціўленне: 250 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

HVCB0805JTD4K70

HVCB0805JTD4K70

частка акцыі: 69215

Супраціўленне: 4.7 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.2W, 1/5W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RNCF2512TTY120R

RNCF2512TTY120R

частка акцыі: 70636

Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF2512TTY249R

RNCF2512TTY249R

частка акцыі: 70712

Супраціўленне: 249 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF2512TKY100R

RNCF2512TKY100R

частка акцыі: 58893

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF2512TKY120R

RNCF2512TKY120R

частка акцыі: 58925

Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RNCF2512TKY49K9

RNCF2512TKY49K9

частка акцыі: 58956

Супраціўленне: 49.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,