Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя
NSVBC858CLT1G
ON Semiconductor

NSVBC858CLT1G

частка акцыі: 178054

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
KSA1010OTU
ON Semiconductor

KSA1010OTU

частка акцыі: 6097

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 5V,

Ліст з жаданняў
MPSA06_D27Z
ON Semiconductor

MPSA06_D27Z

частка акцыі: 6509

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MPSA43ZL1G
ON Semiconductor

MPSA43ZL1G

частка акцыі: 6728

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 200V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJPF5021RTSTU
ON Semiconductor

FJPF5021RTSTU

частка акцыі: 6095

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MSD1328-ST1G
ON Semiconductor

MSD1328-ST1G

частка акцыі: 6464

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў
MPSA55G
ON Semiconductor

MPSA55G

частка акцыі: 6382

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MPSA44RLRAG
ON Semiconductor

MPSA44RLRAG

частка акцыі: 6109

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

Ліст з жаданняў
TIP140TU
ON Semiconductor

TIP140TU

частка акцыі: 6147

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Ліст з жаданняў
MPSA92_D27Z
ON Semiconductor

MPSA92_D27Z

частка акцыі: 6517

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 250nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MPS8098_D27Z
ON Semiconductor

MPS8098_D27Z

частка акцыі: 6483

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMBTA20LT1G
ON Semiconductor

MMBTA20LT1G

частка акцыі: 6366

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJP5021OVTU
ON Semiconductor

FJP5021OVTU

частка акцыі: 6684

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMBTA56_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA56_D87Z

частка акцыі: 6454

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MJ11022
ON Semiconductor

MJ11022

частка акцыі: 6332

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

Ліст з жаданняў
MJ11030G
ON Semiconductor

MJ11030G

частка акцыі: 6380

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 90V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V,

Ліст з жаданняў
NSS20501UW3TBG
ON Semiconductor

NSS20501UW3TBG

частка акцыі: 111556

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў
MPSA92_D75Z
ON Semiconductor

MPSA92_D75Z

частка акцыі: 6549

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 250nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSS40601CF8T1G
ON Semiconductor

NSS40601CF8T1G

частка акцыі: 118178

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
MSB710-RT1
ON Semiconductor

MSB710-RT1

частка акцыі: 6452

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MPSA12G
ON Semiconductor

MPSA12G

частка акцыі: 6457

Тып транзістара: NPN - Darlington, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MPS3702_D27Z
ON Semiconductor

MPS3702_D27Z

частка акцыі: 6486

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJP5027R
ON Semiconductor

FJP5027R

частка акцыі: 6125

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MPSW55G
ON Semiconductor

MPSW55G

частка акцыі: 6403

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MPSA20_D27Z
ON Semiconductor

MPSA20_D27Z

частка акцыі: 6513

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MPSW45RLRE
ON Semiconductor

MPSW45RLRE

частка акцыі: 6440

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V,

Ліст з жаданняў
TIP106
ON Semiconductor

TIP106

частка акцыі: 6478

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
FJP5304D
ON Semiconductor

FJP5304D

частка акцыі: 6073

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 250mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў
KSE13003H3ASTU
ON Semiconductor

KSE13003H3ASTU

частка акцыі: 6497

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 19 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў
FJP13007H1TU
ON Semiconductor

FJP13007H1TU

частка акцыі: 90440

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў
MPSA12
ON Semiconductor

MPSA12

частка акцыі: 6443

Тып транзістара: NPN - Darlington, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMBT6520LT3
ON Semiconductor

MMBT6520LT3

частка акцыі: 6425

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 350V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MPSA93_D74Z
ON Semiconductor

MPSA93_D74Z

частка акцыі: 6510

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 200V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 250nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MPSA13_D26Z
ON Semiconductor

MPSA13_D26Z

частка акцыі: 6551

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MPS6729
ON Semiconductor

MPS6729

частка акцыі: 6391

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MPS2907AZL1
ON Semiconductor

MPS2907AZL1

частка акцыі: 6403

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў