Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя
MSB710-RT1G
ON Semiconductor

MSB710-RT1G

частка акцыі: 6471

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MJD31CRL
ON Semiconductor

MJD31CRL

частка акцыі: 6391

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
MPS6652RLRAG
ON Semiconductor

MPS6652RLRAG

частка акцыі: 6421

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V,

Ліст з жаданняў
PN100A_D27Z
ON Semiconductor

PN100A_D27Z

частка акцыі: 6570

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў
FJAF4210RTU
ON Semiconductor

FJAF4210RTU

частка акцыі: 30792

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
MPSA44RL1G
ON Semiconductor

MPSA44RL1G

частка акцыі: 6665

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSS30101LT1G
ON Semiconductor

NSS30101LT1G

частка акцыі: 107568

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў
KSC5025OTU
ON Semiconductor

KSC5025OTU

частка акцыі: 6120

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 1.2A, 5V,

Ліст з жаданняў
MJD45H11G
ON Semiconductor

MJD45H11G

частка акцыі: 112704

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Ліст з жаданняў
FJP5021Y
ON Semiconductor

FJP5021Y

частка акцыі: 6147

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V,

Ліст з жаданняў
SMMBT6427LT1G
ON Semiconductor

SMMBT6427LT1G

частка акцыі: 173974

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
TIP101
ON Semiconductor

TIP101

частка акцыі: 6468

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
FJPF5021R
ON Semiconductor

FJPF5021R

частка акцыі: 6150

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

Ліст з жаданняў
NST489AMT1
ON Semiconductor

NST489AMT1

частка акцыі: 6481

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MPS6724G
ON Semiconductor

MPS6724G

частка акцыі: 6383

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў
MJD148T4G
ON Semiconductor

MJD148T4G

частка акцыі: 119568

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 20µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Ліст з жаданняў
FJL6820TU
ON Semiconductor

FJL6820TU

частка акцыі: 6101

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 750V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V,

Ліст з жаданняў
FJP5021O
ON Semiconductor

FJP5021O

частка акцыі: 6080

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MJD32CRL
ON Semiconductor

MJD32CRL

частка акцыі: 6354

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
CPH3145-TL-E
ON Semiconductor

CPH3145-TL-E

частка акцыі: 120115

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 330mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
MPS8098
ON Semiconductor

MPS8098

частка акцыі: 6488

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MPS2369RLRAG
ON Semiconductor

MPS2369RLRAG

частка акцыі: 6430

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 400nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MPSA13ZL1
ON Semiconductor

MPSA13ZL1

частка акцыі: 6431

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
KSD5018PWD
ON Semiconductor

KSD5018PWD

частка акцыі: 6129

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 275V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA,

Ліст з жаданняў
FMBS2383
ON Semiconductor

FMBS2383

частка акцыі: 173551

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MPS6729G
ON Semiconductor

MPS6729G

частка акцыі: 6425

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MPS2222ARLRM
ON Semiconductor

MPS2222ARLRM

частка акцыі: 6381

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJPF5027TU
ON Semiconductor

FJPF5027TU

частка акцыі: 6093

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V,

Ліст з жаданняў
TIP116
ON Semiconductor

TIP116

частка акцыі: 6440

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў
MPSW13RLRAG
ON Semiconductor

MPSW13RLRAG

частка акцыі: 6463

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMBTA05LT3
ON Semiconductor

MMBTA05LT3

частка акцыі: 6349

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
D44C8
ON Semiconductor

D44C8

частка акцыі: 75525

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 1V,

Ліст з жаданняў
KSC5024RTU
ON Semiconductor

KSC5024RTU

частка акцыі: 6173

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 800mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MPSW63RLRA
ON Semiconductor

MPSW63RLRA

частка акцыі: 6426

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJPF13007TU
ON Semiconductor

FJPF13007TU

частка акцыі: 6117

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў
MPSA56ZL1G
ON Semiconductor

MPSA56ZL1G

частка акцыі: 6663

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў